BSS138L MOS管中文资料

BSS138L是一款N沟道增强型场效应晶体管，属于MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）类别。该型号由ON安森美半导体公司生产，具有低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于各种电源管理和负载开关应用中。

BSS138L的封装类型通常为SOT-23，这是一种小型表面贴装封装，适合现代电子设备的高密度集成需求。SOT-23封装不仅体积小巧，而且有利于电路板的自动化焊接，提高了生产效率。

厂商名称：ON安森美

元件分类：MOS管

中文描述： 功率场效应管,MOSFET,沟,N沟道,50 V,200 mA,2.78 ohm,SOT-23,表面安装

英文描述： MOSFET,N-CHANNEL,50V,0.2A,SOT-23-3

数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-36639076-BSS138L.html

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BSS138L概述

BSS138L N沟道功率MOSFET的典型应用为DC-DC转换器、便携式电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA卡、手机和无绳电话。

特性

低阈值电压

低压应用的理想选择

微型SOT-23表面贴装封装

优势

节省电路板空间

符合RoHS标准

应用

DC-DC转换器

能源管理

终端产品

电脑

打印机

PCMCIA卡

蜂窝电话和无绳电话

BSS138L中文参数

晶体管极性:N沟道

电流,Id连续:200mA

漏源电压,Vds:50V

在电阻RDS(上):2.78ohm

电压Rds测量:5V

阈值电压Vgs:1.25V

晶体管安装:表面安装

功耗Pd:350mW

晶体管封装类型:SOT-23

针脚数:3引脚

工作温度最高值:150°C

BSS138L引脚图

工作原理

BSS138L MOS管的工作原理基于场效应晶体管的基本工作机制。MOSFET有三个主要的引脚：栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）。N沟道MOSFET的工作原理如下：

1. 栅极控制：通过栅极电压控制漏极和源极之间的导通与关断。当栅极电压高于源极电压的阈值电压（V_GS(th)）时，MOSFET导通，漏极和源极之间形成低阻抗通道，电流可以流过。

2. 增强型模式：BSS138L为增强型MOSFET，即在栅极电压为0时，MOSFET处于关断状态。只有当栅极电压高于阈值电压时，漏极和源极之间的通道才会导通。

3. 电流流动：当MOSFET导通后，电流从漏极流向源极（对于N沟道）。电流的大小取决于漏极和源极之间的电压差（V_DS）和栅极电压（V_GS）。

特点

BSS138L MOS管具有以下几个显著特点：

1. 低导通电阻：BSS138L的R_DS(on)值较低，通常在几百毫欧范围内。这意味着在导通状态下，MOSFET的电压降和功耗较低。

2. 快速开关速度：由于其较低的栅极电荷，BSS138L可以实现快速的开关速度，适用于高频开关电路。

3. 小封装尺寸：SOT-23封装使得BSS138L适合高密度电路板设计，节省空间。

4. 低栅极电压驱动：BSS138L可以在较低的栅极电压下工作，适合与3.3V或5V逻辑电平兼容。

应用

BSS138L MOS管在各种电子电路中有着广泛的应用，主要包括：

1. 负载开关：BSS138L常用于控制各种负载，如LED、继电器和电机等。

2. 电源管理：在电源管理电路中，BSS138L可以用于实现电源开关、稳压器和电池管理系统。

3. 信号开关：在高频和高速信号传输电路中，BSS138L可以用作信号开关器件。

4. 保护电路：BSS138L可用于过压保护和过流保护电路，保护敏感电子元件免受损坏。

5. 逻辑电平转换：在不同逻辑电平电路间进行转换，确保系统兼容性。

参数

BSS138L的主要参数如下：

1. 漏极-源极电压（V_DS）：最大可承受电压为50V。

2. 栅极-源极电压（V_GS）：最大可承受电压为±20V。

3. 漏极电流（I_D）：最大连续漏极电流为200mA。

4. 漏极源极导通电阻（R_DS(on））：在V_GS = 10V时，典型值为3Ω；在V_GS = 4.5V时，典型值为4Ω。

5. 阈值电压（V_GS(th））：典型值为1.3V，最大值为2.5V。

6. 总栅极电荷（Q_g）：典型值为2.5nC。

7. 输入电容（C_iss）：典型值为20pF。

8. 开关速度：典型的上升时间（t_r）为10ns，下降时间（t_f）为8ns。

这些参数使得BSS138L在各种应用中表现出色，特别是对于需要高开关速度和低导通电阻的应用场合。

结论

综上所述，BSS138L是一款性能优异的N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、快速开关速度和小封装尺寸等特点。其广泛应用于负载开关、电源管理、信号开关、保护电路和逻辑电平转换等领域，为现代电子设备提供了可靠、高效的解决方案。在实际应用中，根据具体的电路需求选择合适的驱动电压和工作参数，可以充分发挥BSS138L的性能优势。