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ON安森美DTC144EET1G NPN双极数字偏置电阻晶体管(BRT)中文资料

来源:
2024-06-27
类别:基础知识
eye 26
文章创建人 拍明芯城

安森美DTC144EET1G NPN双极数字偏置电阻晶体管(BRT)

安森美(ON Semiconductor)生产的DTC144EET1G是一款NPN双极数字偏置电阻晶体管(Digital Bias Resistor Transistor,简称BRT)。这类晶体管在其内部集成了两个电阻,一个是基极电阻,一个是基极-发射极电阻。这种结构的设计简化了外部电路,减少了元件数量和设计复杂性。

DTC系列是安森美的一个重要产品线,其中包括多个不同型号的BRT,除了DTC144EET1G之外,还有DTC114E、DTC124E等。不同型号之间的主要区别在于其内部电阻值的不同,用户可以根据具体的电路需求选择适合的型号。

DTC144EET1G图片

厂商名称:ON安森美

元件分类:晶体管

中文描述: 晶体管,双极预偏置/数字,BRT,单路NPN,50 V,100 mA,47 kohm,47 kohm

英文描述: NPN Bipolar Digital Transistor(BRT),SC-75(SOT-416)3 LEAD,3000-REEL

数据手册:https://www.iczoom.com/data/k02-24039002-DTC144EET1G.html

在线购买:立即购买

DTC144EET1G概述

DTC144EET1G是一款NPN双极数字偏置电阻晶体管(BRT),旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT包含一个带有单片偏置网络的晶体管,该网络由两个电阻组成,一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将单个组件集成到单个设备中来消除单个组件。

简化电路设计

减少电路板空间

减少组件数量

无卤素

AEC-Q101合格和PPAP能力

应用

工业,电源管理,车用

DTC144EET1G中文参数

数字晶体管极性:单路NPN

集电极发射电压,Vceo:50V

集电极连续电流:100毫安

基极输入电阻R1:47kohm

电阻,基极-发射极,R2:47kohm

电阻比R1/R2:-

射频晶体管封装:SC-75

晶体管安装:表面安装

引脚数:3引脚

产品范围:DTC144E

汽车质量标准:AEC-Q101

DTC144EET1G引脚图

image.png

工作原理

DTC144EET1G的工作原理基于NPN双极型晶体管的基本工作特性。NPN晶体管由三个区域构成:发射极(E)、基极(B)和集电极(C)。在DTC144EET1G中,基极电阻(R1)和基极-发射极电阻(R2)的集成使得输入信号可以直接施加到基极,而不需要额外的外部偏置电阻。具体工作原理如下:

  1. 导通状态:当基极-发射极电压(V_BE)超过晶体管的导通电压(一般约为0.7V),晶体管进入导通状态,集电极电流(I_C)开始流动。这时,发射极和集电极之间形成低阻抗路径,允许电流通过。

  2. 截止状态:当基极-发射极电压低于导通电压,晶体管处于截止状态,集电极电流几乎为零,发射极和集电极之间为高阻抗状态。

  3. 放大状态:在放大状态下,基极电流(I_B)的微小变化会引起集电极电流(I_C)的大幅变化,实现电流放大。集成的基极电阻(R1)限制了基极电流,从而保护晶体管,避免过大的电流损坏器件。

特点

DTC144EET1G具有以下特点:

  1. 内置偏置电阻:内置的基极电阻(R1)和基极-发射极电阻(R2)简化了电路设计,减少了外部元件数量。

  2. 小型封装:采用小型SOT-23封装,适合高密度电路板设计。

  3. 低功耗:由于内置电阻的存在,晶体管在截止状态下的功耗极低,非常适合低功耗应用。

  4. 高可靠性:集成电阻减少了外部连接点,从而提高了电路的可靠性和稳定性。

  5. 通用性强:适用于各种数字电路和开关电路,具有广泛的应用前景。

应用

DTC144EET1G广泛应用于各种电子电路中,尤其是在需要数字信号处理和开关功能的场合。具体应用包括:

  1. 信号开关:在数字电路中用作信号开关,控制信号的通断。

  2. 电平转换:用于不同电压电平之间的信号转换,适用于混合电压系统。

  3. 缓冲器:用作缓冲器,以隔离前后级电路,防止信号干扰。

  4. LED驱动:用于驱动LED灯,控制其开关和亮度。

  5. 保护电路:在电源和负载之间提供过流保护,防止电路损坏。

参数

DTC144EET1G的主要技术参数如下:

  1. 集电极-基极电压(V_CBO):50V

  2. 集电极-发射极电压(V_CEO):50V

  3. 发射极-基极电压(V_EBO):5V

  4. 集电极电流(I_C):100mA

  5. 集电极功耗(P_C):200mW

  6. 基极电阻(R1):47kΩ

  7. 基极-发射极电阻(R2):47kΩ

  8. 集电极饱和电压(V_CE(sat)):0.1V(典型值)

  9. 过渡频率(f_T):250MHz

  10. 工作温度范围:-55℃至150℃

结论

综上所述,DTC144EET1G作为一款NPN双极数字偏置电阻晶体管,具有内置偏置电阻、小型封装、低功耗和高可靠性等特点,广泛应用于信号开关、电平转换、缓冲器、LED驱动和保护电路等场合。其集成电阻的设计不仅简化了电路设计,还提高了电路的稳定性和可靠性。作为一种高效、可靠的电子元件,DTC144EET1G在现代电子设计中发挥着重要作用。


责任编辑:David

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