NDS331N MOS管中文资料

NDS331N 是 ON 安森美半导体推出的一款 N 沟道增强型 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属氧化物半导体场效应晶体管）。这种类型的 MOSFET 以其低导通电阻和高开关速度著称，广泛应用于各种电子设备和电路中。

厂商名称：ON安森美

元件分类：MOS管

中文描述： 功率场效应管，MOSFET，N沟道，20 V，1.3 A，0.11 ohm，SuperSOT，表面安装

英文描述： MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode

数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-36711089-NDS331N.html

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NDS331N概述

NDS331N是一款N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管，采用高单元密度，DMOS技术.这种非常高密度的工艺特别适合降低导通电阻.适用于PCMCIA卡与其他电池供电电路的低电压应用，其中需要非常小的表面安装封装，以及快速开关与低功耗.

高密度单元设计，极低RDS(ON)

卓越的导通电阻与最大DC电流能力

应用

电源管理，计算机和计算机周边

NDS331N中文参数

晶体管极性:N沟道

漏源电压，Vds:20V

电流，Id连续:1.3A

在电阻RDS(上):0.11ohm

晶体管封装类型:SuperSOT

晶体管安装:表面安装

电压 Rds测量:4.5V

阈值电压Vgs:700mV

功耗Pd:500mW

针脚数:3引脚

工作温度最高值:150°C

NDS331N引脚图

N 沟道 MOSFET

NDS331N 属于 N 沟道 MOSFET，这意味着当施加正向栅极电压时，器件导通，并允许电流从漏极流向源极。相比 P 沟道 MOSFET，N 沟道 MOSFET 通常具有更低的导通电阻和更高的电子迁移率，因而在开关应用中更受欢迎。

工作原理

基本结构

NDS331N MOSFET 的基本结构包括源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）三个主要电极。栅极与源极之间有一层薄薄的绝缘氧化物层，当在栅极施加电压时，会在氧化物层下方的半导体材料中形成一个导电通道。

导通与关断

当栅极电压超过阈值电压（V_GS(th)）时，MOSFET 导通，形成从漏极到源极的低阻抗通道，允许电流通过。相反，当栅极电压低于阈值电压时，通道关闭，MOSFET 处于关断状态，阻止电流流动。

电流控制

MOSFET 的电流主要受栅极电压控制。对于 NDS331N，随着栅极电压的增加，通道中的电子数量增加，导通电阻降低，漏极电流增大。通过精确控制栅极电压，可以实现对漏极电流的调节。

特点

低导通电阻

NDS331N 的导通电阻非常低，典型值为 0.065 欧姆。这意味着在导通状态下，漏极到源极的电压降非常小，从而提高了效率，减少了功耗。

高开关速度

由于 MOSFET 的电子迁移率高，NDS331N 具有快速的开关速度。这使其非常适合于高频应用，如开关电源和 PWM 控制电路。

低栅极电荷

NDS331N 具有低栅极电荷特性，这意味着在开关过程中所需的能量较少，从而减少了驱动电路的功耗，提高了整体效率。

高可靠性

ON 安森美半导体的 NDS331N 经过严格的质量控制和测试，具有高可靠性和稳定性，能够在各种严苛的环境条件下工作。

应用

开关电源

由于其低导通电阻和高开关速度，NDS331N 常用于开关电源中，作为开关元件来实现高效的能量转换。

DC-DC 转换器

在 DC-DC 转换器中，NDS331N 可以用作主开关，控制能量的传递和转换，提高转换效率。

电机驱动

NDS331N 也广泛应用于电机驱动电路中，利用其高开关速度来实现精确的电机控制。

PWM 控制

由于其快速的响应时间，NDS331N 是 PWM 控制电路中的理想选择，可以实现高精度的脉宽调制。

参数

绝对最大额定值

• 漏极-源极电压（V_DS）: 30V

• 栅极-源极电压（V_GS）: ±20V

• 连续漏极电流（I_D）: 1.3A（T_A = 25°C）

• 脉冲漏极电流（I_DM）: 5.2A

电特性（T_A = 25°C，除非另有说明）

• 漏极-源极导通电阻（R_DS(on））: 0.065Ω（V_GS = 10V，I_D = 1.3A）

• 栅极-源极阈值电压（V_GS(th））: 1.0-2.5V

• 漏极-源极漏电流（I_DSS）: 1μA（V_DS = 24V，V_GS = 0V）

• 栅极电荷（Q_g）: 3nC（V_GS = 4.5V，V_DS = 15V）

热特性

• 结点至环境热阻（R_θJA）: 125°C/W

• 结点至引线热阻（R_θJL）: 85°C/W

封装与尺寸

NDS331N 采用 SOT-23 封装，适用于表面贴装技术（SMT），其小尺寸和低轮廓使其非常适合于紧凑型电路设计。

封装尺寸

• 引脚数量: 3

• 封装类型: SOT-23

• 引脚间距: 0.95mm

• 封装高度: 1.0mm

• 封装长度: 2.9mm

• 封装宽度: 1.3mm

总结

NDS331N MOS管作为一种高效、低功耗、高可靠性的 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于各种电子设备和电路中。其低导通电阻、高开关速度和低栅极电荷特性使其成为开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和 PWM 控制电路中的理想选择。ON 安森美半导体的优质制造工艺和严格的质量控制确保了 NDS331N 在各种应用中的稳定性和可靠性。