ONsemi 1N4149 开关二极管中文资料

1N4149 是 ON Semiconductor（ONsemi）生产的一款高效开关二极管，属于小信号硅二极管家族。除了 1N4149 之外，该系列还包括以下常见型号：

• 1N4148：这是最常见的型号，性能与 1N4149 类似，但在一些特定参数上可能有细微差别。

• 1N4150：与 1N4149 类似，但在反向恢复时间上有所改进，适用于更高频率的应用。

• 1N4448：具有更高的反向电压和更快的开关速度，适用于更苛刻的条件。

每个型号在具体参数上会有一些差异，但它们都具有相似的特性和应用领域，适用于高速开关、脉冲整形和混合信号处理等场合。

厂商名称：ONsemi

元件分类：开关二极管

中文描述： 小信号二极管，单，100 V，500 mA，1 V，4 ns，4 A

英文描述： Small Signal Diode

数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-36824652-1N4149.html

在线购买：立即购买

1N4149概述

1N4149是一款2引脚高电导快速小信号二极管，可提供最佳质量组合。它针对节能设计进行了优化，并提供高反向电压(200V)。该产品是一般用途，适用于许多不同的应用。

500mW功耗

175°C工作结温

1N4149中文参数

制造商:onsemi

产品种类:二极管-通用，功率，开关

安装风格:Through Hole

封装/箱体:DO-35

峰值反向电压:100 V

最大浪涌电流:4 A

If-正向电流:500 mA

配置:Single

恢复时间:4 ns

Vf-正向电压:1 V

Ir-反向电流:0.025 uA

最小工作温度:-65 C

最大工作温度:+175 C

系列:1N4149

封装:Bulk

商标:onsemi/Fairchild

高度:1.91 mm

长度:4.56 mm

1N4149引脚图

工作原理

1N4149 开关二极管的工作原理与普通二极管类似，主要利用其在正向偏置时导通、反向偏置时截止的特性进行开关控制。其工作过程如下：

1. 正向偏置：当二极管的正极（阳极）电压高于负极（阴极）电压时，PN 结内的势垒电压被克服，电子从 N 型区流向 P 型区，形成电流。此时，二极管导通，电阻很小，电流通过。

2. 反向偏置：当二极管的正极电压低于负极电压时，PN 结的势垒电压增加，电子难以越过结区，二极管截止，几乎没有电流通过。

3. 反向恢复时间：当二极管从导通状态切换到截止状态时，存在一个过渡时间，这段时间内少数载流子会从结区流过，称为反向恢复时间。1N4149 的反向恢复时间很短，使其能够快速响应高频信号。

特点

1N4149 具有以下几个显著特点：

1. 高速度：由于其短反向恢复时间（通常在4ns左右），1N4149 非常适合高速开关应用。高频响应使其能够在数百兆赫兹（MHz）的频率范围内工作。

2. 低功耗：其正向电压降通常在0.7V左右，正向电流在数毫安（mA）到数十毫安之间，能够高效工作而不产生过多热量。

3. 高可靠性：1N4149 采用硅材料，具有较高的稳定性和可靠性，能够在宽广的温度范围内工作，耐用性强。

4. 小型封装：通常采用玻璃封装或塑料封装，体积小，适合于各种高密度电子电路设计。

应用

由于其优异的性能，1N4149 被广泛应用于以下领域：

1. 开关电路：作为高效开关二极管，1N4149 常用于高速开关电路中，如脉冲和时钟电路。

2. 脉冲整形：能够快速响应输入信号，1N4149 用于脉冲整形电路中，确保输出信号的波形精确。

3. 混合信号处理：在模拟和数字信号混合电路中，1N4149 用于信号选择和隔离。

4. 保护电路：作为保护元件，1N4149 可用于防止过压和反向电压对敏感电路的损害。

5. 振荡电路：在高频振荡电路中，1N4149 的高速响应特性使其能够稳定工作。

参数

了解 1N4149 的关键参数对于其应用和选型至关重要。以下是该二极管的一些主要参数：

1. 最大正向电流 (IF)：300mA。这个参数表示二极管在正向偏置下的最大允许电流。

2. 反向电压 (VR)：100V。这个参数表示二极管在反向偏置下能够承受的最大电压。

3. 反向恢复时间 (trr)：4ns。表示二极管从导通状态到截止状态的过渡时间。

4. 正向电压降 (VF)：0.7V@10mA。表示二极管在正向电流为10mA时的电压降。

5. 功耗 (PD)：500mW。表示二极管能够承受的最大功耗。

6. 结温 (Tj)：-65°C至+200°C。表示二极管能够正常工作的温度范围。

详细参数表

电气特性图

1N4149 的电气特性图包括其电流-电压特性曲线（I-V 曲线）和反向恢复时间特性。以下是一些典型的特性图描述：

1. I-V 特性曲线：在正向偏置时，随着电压增加，电流迅速增加；在反向偏置时，电流极小，表现为截止状态。

2. 反向恢复时间图：显示二极管从导通到截止的过渡过程，反映其高速开关能力。

热特性

1N4149 的热特性主要涉及其工作温度范围和功耗能力。在高温环境下，二极管的性能可能会有所下降，因此需要注意其散热设计。

封装形式

1N4149 通常采用玻璃封装或塑料封装。玻璃封装具有更好的密封性和耐环境性，而塑料封装则更加经济实惠。常见的封装形式包括：

• DO-35：一种典型的轴向引线封装形式，适用于通过孔安装。

• SMD 封装：表面贴装封装形式，如 SOD-123 和 SOD-323，更适合于高密度电路设计。

可靠性与寿命

1N4149 作为高可靠性的电子元件，具有较长的使用寿命。其可靠性主要取决于工作环境和使用条件。为了延长使用寿命，应注意以下几点：

1. 避免过载：确保工作电流和电压在额定范围内，避免过载使用。

2. 良好的散热设计：确保二极管周围有良好的散热条件，防止过热。

3. 环境保护：在高湿度或腐蚀性环境中使用时，应采取适当的保护措施。

应用案例

以下是 1N4149 在实际应用中的一些具体案例：

1. 开关电源：在开关电源中，1N4149 用于高速整流和信号调节，保证电源的稳定输出。

2. 信号放大器：在高频信号放大器中，1N4149 用于信号整形和隔离，提高放大器的性能。

3. 通讯设备：在无线通讯设备中，1N4149 用于信号调制和解调，确保信号的准确传输。

4. 数字电路：在数字电路中，1N4149 用于逻辑电平转换和信号隔离，防止干扰和错误传输。

综上所述，ONsemi 1N4149 开关二极管作为一种高效、可靠的电子元件，广泛应用于各种高频、高速电路中。其优异的性能和多样的应用场景，使其成为现代电子设备设计中的重要组件。