1. 型号简介

2N7000-G 是一款常用的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），它具有低导通电阻和高开关速度的特点。该型号由多个厂家生产，如 Fairchild、ON Semiconductor 等。作为一种广泛应用于电子电路中的基本器件，2N7000-G 在开关电源、信号放大、数字电路等方面有着广泛的应用。

厂商名称：Microchip

元件分类：MOS管

中文描述： 功率场效应管，MOSFET，N通道，60 V，200 mA，5 ohm，TO-92，通孔

英文描述： N-Channel 60 V 200mA(Tj)1W(Tc)Through Hole TO-92-3.

数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-36639692-2N7000-G.html

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2N7000-G概述

60V，5欧姆，N通道，增强模式，垂直DMOS FET

无二次击穿

低功率驱动要求

易于并联

低CISS和快速开关速度

优异的热稳定性

一体化源-漏二极管

高输入阻抗和高增益

2N7000-G中文参数

制造商:Microchip

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装/箱体:TO-92-3

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:200 mA

Rds On-漏源导通电阻:5 Ohms

Vgs-栅极-源极电压:-20 V，+20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV

Qg-栅极电荷:-

最小工作温度:-55 C

最大工作温度:+150 C

Pd-功率耗散:400 mW

配置:Single

正向跨导-最小值:100 mmho

2N7000-G引脚图

2. 工作原理

MOSFET 的工作原理基于金属氧化物半导体场效应。MOSFET 主要由源极、漏极、栅极和衬底组成。对于 N 沟道 MOSFET，当在栅极施加一个正向电压时，形成的电场会使 P 型基底中的电子在栅极和基底之间形成一个导电沟道。电流在源极和漏极之间流动，通过调整栅极电压，可以控制导电沟道的宽度，从而调节电流的大小。

2N7000-G 的导通状态取决于栅极电压，当栅极电压超过阈值电压（约2-3V）时，MOSFET 导通，漏源间电阻急剧下降，从而实现开关作用。当栅极电压低于阈值电压时，MOSFET 处于关断状态，漏源间电阻很高，几乎没有电流通过。

3. 特点

2N7000-G 具有以下几个主要特点：

• 低导通电阻：2N7000-G 的导通电阻通常在几欧姆以下，这使得其在导通状态下功耗较低。

• 高开关速度：由于其较低的栅极电容和较小的电荷量，2N7000-G 具有较快的开关速度，适合高速开关电路。

• 低栅极驱动电流：栅极电容较小，使得驱动电流较低，可以用低功耗的逻辑电路直接驱动。

• 宽电压范围：该器件可在较宽的电压范围内工作，适用于多种应用场合。

• 成本低廉：作为一种标准器件，2N7000-G 的生产成本较低，市场供应充足。

4. 应用

2N7000-G 的应用非常广泛，主要包括以下几个方面：

• 开关电路：利用其快速开关特性，2N7000-G 常用于各种开关电路，如脉宽调制（PWM）电路、DC-DC 转换器等。

• 信号放大：在小信号放大器电路中，2N7000-G 可用于放大微弱信号，特别是在射频和高频信号处理电路中。

• 保护电路：由于其低导通电阻和高电流容量，2N7000-G 可用于保护电路，如过流保护、电压钳位等。

• 逻辑电平转换：2N7000-G 可用于不同逻辑电平之间的转换，如 3.3V 和 5V 逻辑电平之间的接口。

• 负载驱动：可用于驱动各种负载，如 LED、继电器等。

5. 参数

2N7000-G 的主要参数如下：

• 最大漏源电压（V_DS）：60V

• 最大栅源电压（V_GS）：±20V

• 最大漏极电流（I_D）：200mA

• 最大耗散功率（P_D）：350mW

• 导通电阻（R_DS(on)）：1.2Ω（V_GS = 10V 时）

• 阈值电压（V_GS(th)）：2-3V

• 栅极电荷（Q_g）：2.5nC

• 跨导（g_fs）：0.32S

• 工作温度范围：-55°C 至 +150°C

6. 型号类型

除了 2N7000-G 之外，还有一些常见的同类 MOSFET 型号，如：

• BS170：这是另一种常用的 N 沟道增强型 MOSFET，参数与 2N7000 类似，但导通电阻略低。

• IRLZ44N：这是一种低电压大电流的 N 沟道 MOSFET，导通电阻更低，适用于高电流应用。

• IRF540N：这是一种高压大电流 MOSFET，适用于电源管理和大功率驱动。

• 2N2222：虽然是 NPN 型三极管，但在一些应用中可以替代 2N7000，如低功率开关电路。

7. 总结

2N7000-G 是一种高性价比、广泛应用的 N 沟道 MOSFET，凭借其低导通电阻、高开关速度和低栅极驱动电流等特点，广泛应用于各种电子电路中。在了解其工作原理、特点、应用及参数之后，可以更好地在实际电路设计中选择和使用该器件。