安森美BC847CLT1G NPN通用双极晶体管

一、型号简介

安森美（ON Semiconductor）是全球领先的半导体制造商，生产的BC847CLT1G是一款NPN型通用双极晶体管。这种晶体管广泛应用于各种电子电路中，因其稳定的性能和较高的可靠性而备受青睐。

厂商名称：ON安森美

元件分类：三极管

中文描述： 单晶体管，双极，通用，NPN，45 V，100 MHz，300 mW，100 mA，520 hFE

英文描述： Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-24025922-BC847CLT1G.html

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BC847CLT1G中文参数

BC847CLT1G概述

BC847CLT1G是一款NPN通用双极晶体管，设计用于线性和开关应用。该器件设计用于低功耗表面安装应用.额定功率：300mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：45V 晶体管类型：NPN NPN 45V 100mA

潮湿敏感度1级

符合AEC-Q101标准，PPAP功能

静电保护:>4000V人体模型，>400V机型

应用

工业，电源管理，车用

BC847CLT1G规格参数

BC847CLT1G引脚图

二、型号类型及后续产品

BC847CLT1G属于BC847系列的一个变种，其系列包括BC847、BC847A、BC847B、BC847C等。这些型号的主要区别在于它们的增益参数（hFE），具体来说：

• BC847A：低增益，hFE在110到220之间。

• BC847B：中等增益，hFE在200到450之间。

• BC847C：高增益，hFE在420到800之间。

BC847CLT1G通常应用于要求较高增益的电路中，是BC847系列的一种常见配置。

三、工作原理

NPN型双极晶体管由三个区域构成：发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。其工作原理如下：

1. 发射极注入电子：当基极电流存在时，发射极区域的电子被注入到基极区域。

2. 基极控制电流：基极区域很薄，电子迅速穿过，少部分电子与基极的空穴复合，大部分电子到达集电极区域。

3. 集电极收集电子：集电极区对电子具有强吸引力，使得大部分从发射极来的电子进入集电极，形成集电极电流（IC）。

总电流关系可以表示为：$I_C approx eta cdot I_B$IC≈β⋅IB其中，$eta$β为晶体管的电流增益。

四、特点

BC847CLT1G具有以下显著特点：

1. 高增益：提供了高电流增益，使其适用于信号放大。

2. 低噪声：低噪声特性使其适用于高保真音频放大器和其他低噪声应用。

3. 小型封装：采用SOT-23封装，有利于高密度电路板设计。

4. 可靠性高：在宽温度范围内工作，具有良好的热稳定性。

5. 低功耗：在较低电压和电流条件下工作，有效降低能耗。

五、应用

BC847CLT1G因其多功能性和优异性能，广泛应用于以下领域：

1. 信号放大器：用于低电平信号的放大，如音频放大器、传感器信号处理。

2. 开关电路：用于数字电路中的开关和控制，如驱动继电器、LED。

3. 振荡器和定时器：用于构建振荡器和定时电路。

4. 电源管理：在电源管理电路中，用于电流和电压调节。

六、参数

BC847CLT1G的主要参数如下：

• 最大集电极-基极电压（VCBO）：50V

• 最大集电极-发射极电压（VCEO）：45V

• 最大发射极-基极电压（VEBO）：6V

• 最大集电极电流（IC）：100mA

• 功耗（Ptot）：250mW

• 集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：典型值0.25V（IC=10mA，IB=0.5mA）

• 基极-发射极饱和电压（VBE(sat)）：典型值0.65V（IC=10mA，IB=0.5mA）

• 直流电流增益（hFE）：典型值420到800（IC=2mA，VCE=5V）

七、结语

综上所述，安森美的BC847CLT1G是一款性能优越的NPN通用双极晶体管，具有高增益、低噪声、低功耗等特点，适用于多种电子电路中的放大、开关和振荡等应用。其小型封装和广泛的应用场景，使其成为电子工程师在设计和开发过程中不可或缺的基本元件之一。