英飞凌IRLML6401TRPBF MOS管详细资料

英飞凌IRLML6401TRPBF是一种N沟道增强型MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)，具体型号IRLML6401TRPBF中的每个部分都有其特定的含义：

• IRL：表示其属于英飞凌生产的低压MOSFET系列；

• M：表示其封装类型为Micro-8封装；

• L6401：特定型号编号；

• TRPBF：表示产品为无铅版本（PBF），且为卷带包装（TR）。

厂商名称：英飞凌

元件分类：MOS管

中文描述： 英飞凌Infineon MOSFET,HEXFET系列,P沟道,Si,Vds=12 V,4.3 A,3引脚微型封装

英文描述： Power Field-Effect Transistor,4.3A I(D),12V,0.05ohm,1-Element,P-Channel,Silicon,Metal-oxide Semiconductor FET,LEAD FREE,MICRO-3

数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-24421989-IRLML6401TRPBF.html

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IRLML6401TRPBF中文参数

IRLML6401TRPBF概述

英飞凌IRLML6401TRPBF是一款-12V单P沟道HEXFET功率MOSFET,与现有表面安装技术兼容.该MOSFET具有更高的可靠性,易于制造.

无卤素

MSL1,工业认证

兼容多个供应商

环保型

沟道MOSFET技术

±8V栅-源电压

0.01W/°C线性降额因子

应用范围

电源管理

IRLML6401TRPBF引脚图

工作原理

MOSFET的工作原理基于电场效应。IRLML6401TRPBF作为N沟道MOSFET，其基本工作原理如下：

1. 栅极控制： 栅极电压控制源极和漏极之间的电流流动。当施加正的栅极电压（相对于源极）时，会在半导体材料表面形成一个反型层，从而在源极和漏极之间形成一条导电沟道。

2. 导通状态： 当栅极电压高于阈值电压时，导电沟道形成，电流可以从漏极流向源极，MOSFET进入导通状态。

3. 截止状态： 当栅极电压低于阈值电压时，导电沟道消失，MOSFET进入截止状态，没有电流通过漏源极。

特点

IRLML6401TRPBF MOSFET具备以下几个主要特点：

1. 低导通电阻 (Rds(on))： 其导通电阻非常低，通常在几毫欧姆范围内。这有助于降低功耗，提高效率。

2. 快速开关速度： 由于其栅极电荷较小，能够实现快速的开关速度，非常适合高速开关应用。

3. 高可靠性： 采用先进的制造工艺和材料，具备高可靠性和长寿命。

4. 低阈值电压： 阈值电压较低，使其能够在较低的栅极电压下工作，有利于低压电路的设计。

5. 小封装： Micro-8封装体积小，适合空间受限的应用场景。

应用

IRLML6401TRPBF广泛应用于各种电子设备中，尤其是需要高效率和小体积的场合。以下是一些常见应用领域：

1. DC-DC转换器： 由于其低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于DC-DC转换器中，能够提高转换效率。

2. 电池管理系统： 在电池充放电管理中，可以用于控制电流路径，提升系统的整体效率。

3. 电源开关： 在电源管理中作为主开关管，能够高效地控制电源的开关。

4. 便携式设备： 由于其小封装和高效能，广泛应用于手机、平板电脑等便携式设备中。

5. 负载开关： 在各种负载开关应用中，通过控制大电流负载，实现低功耗和高效率的切换。

参数

了解IRLML6401TRPBF的详细参数对设计和应用非常重要。以下是其主要技术参数：

1. 最大漏极-源极电压 (Vds)： 20V

2. 最大栅极-源极电压 (Vgs)： ±12V

3. 连续漏极电流 (Id)： 3.7A（在25°C时）

4. 脉冲漏极电流 (Idm)： 30A

5. 导通电阻 (Rds(on))： 25mΩ（Vgs = 4.5V时），35mΩ（Vgs = 2.5V时）

6. 栅极电荷 (Qg)： 8.3nC（典型值）

7. 输入电容 (Ciss)： 540pF（典型值）

8. 阈值电压 (Vgs(th))： 1V（最小），2V（最大）

9. 功率耗散 (Pd)： 1.25W（在25°C时）

这些参数展示了IRLML6401TRPBF在性能和可靠性方面的优势，是设计高效电源管理和切换电路的理想选择。

总结

英飞凌IRLML6401TRPBF是一款高性能N沟道MOSFET，凭借其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性，在多种电子应用中发挥重要作用。其小封装和高效率特点使其特别适用于便携式设备和空间受限的应用场景。通过详细了解其工作原理、特点和技术参数，可以更好地在实际设计中发挥其优势，提高电子系统的整体性能和可靠性。