ON安森美NUP2105LT1G TVS二极管中文资料


安森美 (ON Semiconductor) 的 NUP2105LT1G 是一种 TVS (瞬态电压抑制) 二极管,用于保护电子设备免受电源瞬态电压的损害。以下是该器件的中文资料摘要:
厂商名称:ON安森美
元件分类:TVS二极管
中文描述: 安森美NUP2105LT1G TVS二极管,TVS,NUP21 Series,双向,22 V,40 V,SOT-23,3引脚
英文描述: TVS Diode,NUP21 Series,Bidirectional,24 V,44 V,SOT-23,3 Pins
数据手册:https://www.iczoom.com/data/k09-24423119-NUP2105LT1G.html
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NUP2105LT1G中文参数
制造商: | ON Semiconductor | Cd - 二极管电容 : | 30 pF |
产品种类: | ESD 抑制器/TVS 二极管 | Ipp - 峰值脉冲电流: | 0.333333333 |
产品类型: | ESD Suppressors | 最小工作温度: | - 55 C |
极性: | Bidirectional | 最大工作温度: | + 150 C |
工作电压: | 24 V | 系列: | NUP2105L |
通道数量: | 2 Channel | 封装: | Cut Tape |
端接类型: | SMD/SMT | 封装: | MouseReel |
封装 / 箱体: | SOT-23-3 | 封装: | Reel |
击穿电压: | 26.2 V | 商标: | ON Semiconductor |
钳位电压: | 44 V | 子类别: | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes |
Vesd - 静电放电电压触点: | 30 kV | 单位重量: | 30 mg |
NUP2105LT1G概述
此双路双向适用于需要电压保护功能的应用。它适用于过电压和ESD敏感性设备。此器件具有一个双结共阴极配置,用于保护两个单独的线路。
特性
SOT-23封装允许两个单独的双向配置
每条线350 W峰值功耗(8x20 us波形)
低反向泄漏电流(<100 nA)
IEC-61000-4-2:兼容4级。
IEC-61000-4-4:5/50 ns 50 A最大
IEC-61000-4-5:8.0 A(8x20 us)
应用
汽车CAN总线保护
NUP2105LT1G引脚图
产品描述
NUP2105LT1G 是一款双通道、低电容的 TVS 二极管,专为保护高速数据线路免受静电放电 (ESD) 和其它瞬态电压事件的损害而设计。其低电容特性使其特别适用于高速数据接口保护,如 USB、HDMI 等。
主要特性
双通道保护:每个封装中包含两个独立的保护二极管。
低电容:典型电容为 3.5 pF,适用于高速数据传输线路。
低漏电流:低于 1 µA,有效减少功耗。
符合 IEC 61000-4-2 标准:能承受高达 ±15 kV 的空气放电和 ±8 kV 的接触放电。
封装类型:SOT-23。
主要参数
工作电压 (Vrwm):5 V
击穿电压 (Vbr):6 V (最小值)
箝位电压 (Vc):9.8 V (典型值,Ipp = 1 A)
峰值脉冲电流 (Ipp):2 A
静电电容 (Cj):3.5 pF (典型值,Vr = 0 V, f = 1 MHz)
应用领域
计算机和外设
消费电子产品
通信设备
高速数据接口保护 (如 USB、HDMI、Ethernet)
封装信息
封装类型:SOT-23
引脚数:3
引脚排列:
1 引脚:连接到数据线路
2 引脚:连接到电源或接地
3 引脚:连接到数据线路
电气特性
以下是 NUP2105LT1G 的一些关键电气参数:
参数 | 值 |
---|---|
工作电压 (Vrwm) | 5 V |
击穿电压 (Vbr) | 6 V (最小值) |
箝位电压 (Vc) | 9.8 V (典型值,Ipp = 1 A) |
峰值脉冲电流 (Ipp) | 2 A |
静电电容 (Cj) | 3.5 pF (典型值,Vr = 0 V, f = 1 MHz) |
漏电流 (Ir) | < 1 µA (最大值,Vrwm = 5 V) |
封装尺寸
SOT-23 封装的尺寸通常为:
长度:2.9 mm
宽度:1.3 mm
高度:1.1 mm
工作温度范围
工作温度:-55°C 至 +150°C
储存温度:-55°C 至 +150°C
这款 TVS 二极管适用于多种应用场景,尤其是在需要高速数据传输且对静电放电保护有严格要求的场合。
如需更详细的信息,可以参考安森美官方提供的 NUP2105LT1G 数据手册。
责任编辑:David
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