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德州仪器ULN2003ADR达林顿晶体管阵列驱动中文资料

来源:
2024-06-25
类别:基础知识
eye 46
文章创建人 拍明芯城

德州仪器ULN2003ADR达林顿晶体管阵列驱动器中文资料

ULN2003ADR是德州仪器(Texas Instruments)生产的一款达林顿晶体管阵列驱动器。这款芯片是一种高电压、大电流的达林顿晶体管阵列,主要用于继电器、步进电机、LED显示器和其他需要高电流驱动的场合。

ULN2003ADR系列产品包括多个不同的型号,主要有以下几种常见类型:

  1. ULN2003ADR:这是基本款,采用了标准的达林顿阵列设计,提供7个独立的达林顿晶体管。

  2. ULN2003AN:与ULN2003ADR类似,但封装不同,采用DIP封装,适合不同的电路板设计需求。

  3. ULN2003APG:这是一种环保型号,采用无铅封装,符合环保要求。

  4. ULN2004:这个系列提供了不同的输入电压范围,适合与TTL和CMOS逻辑电平兼容。

ULN2003ADR图片

厂商名称:TI德州仪器

元件分类:达林顿晶体管阵列驱动

中文描述: TI德州仪器,ULN2003ADR ,高电压、大电流达林顿晶体管阵列,晶体管-双极-BJT-阵列-7-NPN-达林顿-50V-500mA-表面贴装型-16-SOIC

英文描述:

Texas Instruments ULN2003ADR high-voltage,high-current Darlington transistor arrays.

50-V, 7-ch darlington transistor array, -20C to 70C

数据手册:https://www.iczoom.com/data/k01-36650851-ULN2003ADR.html

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ULN2003ADR中文参数

晶体管类型7 NPN 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)1.6V @ 500uA,350mA
电流 - 集电极截止(最大值)50uA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)-
功率 - 最大值-
频率 - 跃迁-
工作温度-20°C ~ 70°C(TA)
安装类型表面贴装型
封装/外壳16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装16-SOIC

ULN2003ADR概述

ULx200xA 器件是高电压大电流达林顿晶体管阵列。每款器件均由 7 个 NPN达林顿对组成,这些达林顿对具有高压输出,带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。

单个达林顿对的集电极电流额定值为 500mA。将达林顿对并联可以提供更高的电流。应用 包括继电器驱动器、电锤驱动器、灯驱动器、显示驱动器(LED和气体放电)、线路驱动器和逻辑缓冲器。

ULN2002A 器件专门设计用于 14V 至 25V PMOS 器件。该器件的每个输入端都有一个串联的齐纳二极管和电阻,以将输入电流控制在安全范围内。ULx2003A器件的每个达林顿对都具有一个 2.7k? 的串联基极电阻,可直接与 TTL 或 5V CMOS 器件一起工作。

ULx2004A 器件具有一个 10.5k? 串联基极电阻,允许直接从使用 6V 至 15V 电源电压的 CMOS 器件进行操作。ULx2004A 器件所需的输入电流低于ULx2003A 器件的输入电流,所需电压小于 ULN2002A 器件的所需电压。

ULN2003ADR引脚图

工作原理

ULN2003ADR内部包含7个NPN达林顿晶体管,每个晶体管的集电极都连接到一个共用的自由轮二极管,以保护芯片免受感性负载产生的反电动势影响。达林顿晶体管由两个晶体管级联组成,具有高电流增益和高输入阻抗的特点。

ULN2003ADR的工作原理可以简单描述如下:

  1. 输入端控制:每个达林顿晶体管都有一个对应的输入引脚。当输入端加上一个逻辑高电平信号时(通常是5V),输入晶体管被导通。

  2. 输出端驱动:输入晶体管的导通使得其集电极电流流入达林顿对的基极,从而使得达林顿对导通。

  3. 高电流输出:达林顿对的导通产生一个较大的集电极电流,可以驱动高电流的负载,如继电器线圈、步进电机相等。

  4. 保护二极管:每个输出引脚内部连接有一个自由轮二极管,用于吸收感性负载在开关状态变化时产生的反电动势,保护达林顿晶体管不被击穿。

特点

ULN2003ADR作为一种达林顿晶体管阵列驱动器,具有以下显著特点:

  1. 高电流驱动能力:单个输出引脚的最大电流可达500mA,7个输出引脚总电流可达2.5A。

  2. 高电压工作:输出电压范围可达50V,能够驱动多种高电压负载。

  3. 内置保护功能:每个输出引脚内置自由轮二极管,保护芯片免受感性负载的反电动势影响。

  4. 高输入阻抗:输入阻抗高,能够直接与CMOS或TTL逻辑电平兼容。

  5. 简单接口:只需简单的输入信号控制即可驱动大电流负载,接口设计简单。

  6. 多种封装形式:提供多种封装形式,如SOP、DIP,满足不同的电路设计需求。

  7. 广泛应用:广泛应用于继电器驱动、步进电机控制、LED显示器驱动等多种场合。

应用

ULN2003ADR在各类需要高电流、高电压驱动的应用场合中具有广泛的应用。以下是几个常见的应用场景:

  1. 继电器驱动:由于ULN2003ADR可以提供高电流输出,非常适合用于驱动继电器线圈。通过控制输入引脚的高低电平,可以方便地开关继电器,实现各种自动控制功能。

  2. 步进电机驱动:在步进电机控制中,ULN2003ADR常用于驱动步进电机的各个相。通过控制不同相的通断,可以实现步进电机的精确控制,广泛应用于打印机、机器人等领域。

  3. LED显示器驱动:ULN2003ADR可以用于驱动大电流LED,特别是在需要多个LED同时亮灭的显示屏应用中。通过控制输入信号,可以实现复杂的LED点亮模式。

  4. 电磁阀控制:在自动化设备中,ULN2003ADR可以用于控制电磁阀的开关,实现流体的精确控制。

  5. 音响设备控制:在音响设备中,ULN2003ADR可以用于控制扬声器的开关,提供高电流驱动能力,保证音响设备的正常工作。

参数

为了更好地理解ULN2003ADR的性能,我们需要详细了解其各项参数。以下是该芯片的主要参数:

  1. 电气参数

    • 输入电压(VIH):2.4V(最小值),3.85V(最大值)

    • 输入电流(IIH):0.93mA(最大值)

    • 输出电压(VCE):50V(最大值)

    • 输出电流(IC):500mA(最大值)

    • 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V(最大值)

  2. 功耗参数

    • 功耗(PD):2.25W(最大值)

  3. 温度参数

    • 工作温度范围(TA):-40°C至85°C

    • 存储温度范围(Tstg):-55°C至150°C

  4. 电气特性

    • 集电极电流(IC):最大500mA

    • 最大集电极电压(VCE):50V

    • 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):典型值为1.1V,最大值为1.6V(IC=350mA时)

  5. 输入特性

    • 输入电压(VIH):最小2.4V,最大3.85V

    • 输入电流(IIH):最大1.35mA

  6. 保护特性

    • 内置钳位二极管,用于吸收感性负载的反电动势,保护晶体管免受损坏。

总结

综上所述,ULN2003ADR是一款高性能、高可靠性的达林顿晶体管阵列驱动器,广泛应用于各类需要高电流、高电压驱动的场合。其高电流驱动能力、内置保护功能、高输入阻抗等特点,使其成为继电器驱动、步进电机控制、LED显示器驱动等应用的理想选择。在电路设计中,合理利用其电气特性和保护功能,可以有效提高系统的稳定性和可靠性。

责任编辑:David

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