ON安森美 2N7002LT1G MOS管中文资料

型号类型后缀解析

ON安森美（ON Semiconductor）的2N7002LT1G是一个N沟道增强型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），其主要特点在于高效能、低功耗和较低的导通电阻。其型号后缀中的"L"表示符合环保要求（无铅），"T1"表示封装类型和包装方式（SOT-23封装，带有带式包装），"G"表示符合无卤要求。以下是对型号后缀的具体解释：

• 2N7002：N沟道MOSFET型号

• L：无铅环保标准（Lead-Free）

• T1：SOT-23封装和带式包装

• G：无卤素标准（Green）

厂商名称：ON安森美

元件分类：MOS管

中文描述： ON安森美,2N7002LT1G,晶体管,MOSFET,N沟道,115 mA,60 V,7.5 ohm,10 V,2.5 V

英文描述： N-Channel Small Signal MOSFET 60V 115mA 7.5Ω,SOT-23(TO-236)3 LEAD,3000-REEL

数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-24419171-2N7002LT1G.html

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2N7002LT1G中文参数

2N7002LT1G概述

2N7002LT1G是一款60V N沟道小信号MOSFET,功耗为300mW,连续漏极电流为115mA.

产品特性：

无卤素/无BFR

±20VDC栅-源电压

60VDC漏极至栅极电压

417°C/W热阻,结至环境

2N7002LT1G引脚图

工作原理

2N7002LT1G MOSFET是一种N沟道增强型场效应晶体管。其工作原理基于通过电场控制导电沟道的开关特性。主要工作过程如下：

1. 栅极控制：MOSFET的栅极（Gate）通过绝缘层与源极（Source）和漏极（Drain）隔离。当栅极电压（V_GS）超过一定阈值（V_th），电场在半导体材料内形成导电沟道。

2. 沟道导通：当V_GS超过阈值电压时，源极和漏极之间形成导电沟道，允许电流从漏极流向源极。

3. 电流控制：通过调节栅极电压，可以控制导电沟道的宽度，从而调节漏极电流（I_D）。

特点

2N7002LT1G MOSFET具有以下显著特点：

1. 低导通电阻：R_DS(on)值低，典型值为1.2Ω，这意味着在导通状态下损耗较小。

2. 高速开关：开关速度快，适用于高速信号处理和开关电路。

3. 低门极电流：由于MOSFET是电压控制器件，门极电流极低，减少了驱动电路的功耗。

4. 小型封装：SOT-23封装体积小，适合高密度电路板设计。

5. 环保标准：符合无铅和无卤素环保要求。

应用

2N7002LT1G MOSFET被广泛应用于以下领域：

1. 开关电源：用于高效能DC-DC转换器，提供高效电能转换。

2. 信号放大：在音频和射频电路中作为放大器使用。

3. 电机驱动：用于小型电机的驱动电路，提供高效能和快速响应。

4. 逻辑电平转换：在不同逻辑电平间进行转换，适应不同系统的互联。

5. 保护电路：用于过压保护、电流限制和ESD保护电路。

参数

2N7002LT1G的关键参数如下：

• 漏源击穿电压（V_DS）：60V

• 栅极阈值电压（V_GS(th)）：1-2.5V

• 最大漏极电流（I_D）：200mA

• 漏极电阻（R_DS(on)）：最大值2.5Ω（V_GS=10V时），典型值1.2Ω（V_GS=4.5V时）

• 最大功耗（P_D）：300mW

• 输入电容（C_ISS）：典型值20pF

• 输出电容（C_OSS）：典型值10pF

• 反向传输电容（C_RSS）：典型值5pF

• 热阻（RθJA）：最大值556°C/W

特点和优点详解

1. 低导通电阻（R_DS(on)）： 低R_DS(on)值意味着导通时的电阻较小，能量损耗降低，效率提高。在V_GS=10V条件下，2N7002LT1G的R_DS(on)最大值为2.5Ω，而在V_GS=4.5V时，典型值为1.2Ω。这种低导通电阻使其非常适合用于开关电源和功率转换电路。

2. 高速开关特性： 由于其低输入电容和低导通电阻，2N7002LT1G能实现高速开关。这使其在高频开关应用中表现出色，例如DC-DC转换器和高频信号处理电路。

3. 低门极驱动电流： 作为电压控制器件，2N7002LT1G的门极电流非常低，这减少了驱动电路的复杂性和功耗。它的典型输入电容为20pF，使得驱动电流需求极低。

4. 小型封装（SOT-23）： SOT-23封装不仅体积小，适合高密度电路板设计，而且热阻（RθJA）较大，能有效散热，保证器件的稳定工作。

5. 环保合规： 符合RoHS和无卤素标准，符合现代环保要求。这使得2N7002LT1G在环保法规严格的应用中仍能使用。

典型应用电路

1. 开关电源应用： 在DC-DC转换器中，2N7002LT1G常用于主开关器件，通过高频开关实现电压转换。其低R_DS(on)和高速开关特性保证了转换效率和响应速度。

2. 信号放大器： 在音频和射频电路中，2N7002LT1G作为放大器元件使用，利用其线性区域特性放大输入信号。其低电容和高速响应特性使其在高频信号放大中表现良好。

3. 电机驱动： 适用于小功率电机的驱动电路中，2N7002LT1G提供高效能和快速响应。其低导通电阻和高电流处理能力保证了电机的高效驱动和控制。

4. 逻辑电平转换： 在系统互联中，不同逻辑电平之间的转换是常见需求。2N7002LT1G通过栅极电压的调节，实现从低电平到高电平的转换，适应不同逻辑电平的通信。

5. 保护电路： 在电源管理和保护电路中，2N7002LT1G用于过压保护、电流限制和ESD保护。其高速开关特性和低导通电阻，使其在保护电路中能快速响应和有效保护。

结论

通过对2N7002LT1G的详细介绍，可以看出其作为N沟道增强型MOSFET，具有高效能、低功耗和多种应用场景的特点。其在现代电子电路中的应用广泛，适合从开关电源到信号放大、从电机驱动到逻辑电平转换等多种场合。其低导通电阻、高速开关特性、小型封装和环保标准，使其成为电子设计工程师的优选器件之一。