安森美MJE2955T PNP功率晶体管

1. 型号及类型

安森美（ON Semiconductor）MJE2955T是一款PNP功率晶体管，广泛应用于各种电子电路中。MJE2955T属于塑封功率晶体管系列，具有较高的电流和电压承受能力。PNP型晶体管的主要特点是，当基极（B）相对于发射极（E）为负时，晶体管处于导通状态。

MJE2955T的型号解读如下：

• MJE：表示其属于中功率塑封晶体管系列。

• 2955：具体型号，表示该晶体管的性能和参数。

• T：代表其封装形式为TO-220，适用于通用功率放大和开关应用。

厂商名称：ON安森美

元件分类：晶体管

中文描述： 单晶体管双极，PNP，60 V，10 A，75 W，TO-220，通孔

英文描述： Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube

数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-24033745-MJE2955T.html

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MJE2955T中文参数

MJE2955T概述

MJE2955T是用于电源开关电路和通用放大器的-60V硅外延基PNP功率晶体管。快速的开关时间和非常低的饱和电压可减少开关和传导损耗。

与MJE3055T互补

良好控制的hFE参数可提高可靠性

应用

工业

MJE2955T引脚图

2. 工作原理

MJE2955T是一种双极型结晶体管（BJT），其基本工作原理与其他PNP型BJT相同。PNP晶体管由两个P型半导体材料和一个N型半导体材料组成，N型材料位于中间，形成一个PNP结构。

在PNP晶体管中：

• 当基极电压低于发射极电压时，基极-发射极结反向偏置，基极-集电极结正向偏置，晶体管处于导通状态。

• 电子从基极区注入到发射极区，形成基极电流（IB），同时大量电子从发射极区进入集电极区，形成集电极电流（IC）。

• 发射极电流（IE）是集电极电流和基极电流之和，即IE = IC + IB。

由于基极电流远小于集电极电流和发射极电流，因此通过控制基极电流，可以控制较大的集电极电流，从而实现电流放大和开关功能。

3. 特点

MJE2955T具有以下显著特点：

• 高电流能力：其集电极电流（IC）最大值可达15A，适用于大电流应用。

• 高电压耐受性：集电极-发射极电压（VCEO）最大值为60V，集电极-基极电压（VCBO）最大值为70V。

• 低饱和电压：在较大电流条件下，集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）较低，提高了效率。

• 良好的热稳定性：封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，有助于晶体管在高功率条件下稳定工作。

• 高增益：直流电流增益（hFE）在100至300之间，提供了较好的电流放大能力。

4. 应用

MJE2955T广泛应用于以下领域：

• 电源开关电路：由于其高电流和高电压能力，MJE2955T常用于开关电源、DC-DC转换器和电源管理电路中。

• 音频功率放大器：其高增益和低饱和电压特性，使其适用于音频功率放大器电路，能够提供高保真音质。

• 电机驱动电路：在电机控制和驱动电路中，MJE2955T可以有效地驱动大功率电机。

• 通用开关应用：作为通用开关器件，MJE2955T在各类电子设备中均有广泛应用，如家用电器、工业控制和通信设备等。

5. 参数

MJE2955T的主要参数如下：

• 最大额定值：

• 集电极-发射极电压（VCEO）：60V

• 集电极-基极电压（VCBO）：70V

• 发射极-基极电压（VEBO）：5V

• 集电极电流（IC）：15A

• 基极电流（IB）：7A

• 功耗（Ptot）：115W（@TC = 25°C）

• 电气特性：

• 集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：典型值1.1V（IC = 10A, IB = 1A）

• 基极-发射极电压（VBE）：最大值2V（IC = 10A, VCE = 4V）

• 直流电流增益（hFE）：100-300（IC = 4A, VCE = 4V）

• 热特性：

• 结温（TJ）：最高值150°C

• 热阻（结到外壳，RθJC）：1.52°C/W

MJE2955T作为一款性能优越的PNP功率晶体管，凭借其高电流、高电压、低饱和电压等特点，在电源开关、音频放大、电机驱动等领域得到了广泛应用。在实际应用中，需要根据具体电路要求，合理选择工作点和偏置电路，以充分发挥其性能优势。