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英飞凌IRFZ24NPBF MOS管中文资料

来源:
2024-06-20
类别:基础知识
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文章创建人 拍明芯城

英飞凌(Infineon)IRFZ24NPBF MOS管详细资料

1. 型号类型及基本介绍

英飞凌(Infineon)IRFZ24NPBF是一款N沟道场效应MOS场效应晶体管(MOSFET)。它被广泛应用于各种电源控制和开关应用中,因其高性能和可靠性而闻名于世。

IRFZ24NPBF图片

厂商名称:英飞凌IRFZ24NPBF图片

元件分类:MOS管

中文描述: MOSFET,HEXFET系列,N沟道,Si,Vds=55 V,17 A,3引脚,TO-220AB封装

英文描述: Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube

数据手册:https://www.iczoom.com/data/k02-24428344-IRFZ24NPBF.html

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IRFZ24NPBF中文参数

通道类型N最大功率耗散45 W
最大连续漏极电流17 A晶体管配置
最大漏源电压55 V最大栅源电压-20 V、+20 V
封装类型TO-220AB每片芯片元件数目1
安装类型通孔高度8.77mm
引脚数目3典型栅极电荷@Vgs20 nC @ 10 V
最大漏源电阻值70 mΩ最低工作温度-55 °C
通道模式增强系列HEXFET
最大栅阈值电压4V最高工作温度+175 °C
最小栅阈值电压2V晶体管材料Si

 IRFZ24NPBF概述

IRFZ24NPBF是一款55V单N沟道HEXFET®功率MOSFET,采用先进的平面技术,具有极低的导通电阻,以及快速开关性能。

175°C工作温度

动态dV/dt额定值

雪崩级别

应用

电源管理

2. 工作原理

IRFZ24NPBF的工作原理基于N沟道MOSFET的特性。它主要由栅极(Gate)、漏极(Drain)和源极(Source)组成。当施加在栅极上的电压(V_GS)超过了阈值电压(V_th)时,形成了一个导电通道,使得漏极和源极之间产生电流通路。该通道的导电性可以通过栅极电压的控制来调节,因此IRFZ24NPBF可以在低栅极电压下实现高效的电流控制。

3. 特点

  • 低导通电阻(R_DS(on)): IRFZ24NPBF具有较低的导通电阻,能够在导通状态下降低功耗和温升。

  • 高开关速度: 快速的开关特性使其适用于需要快速响应和高频率操作的应用。

  • 良好的热稳定性: 具备良好的热管理和稳定性,能够在各种环境条件下稳定工作。

  • 可靠性高: 设计优化和先进的材料选择确保了长期稳定的性能表现。

4. 应用

IRFZ24NPBF广泛应用于以下领域:

  • 电源管理: 如DC-DC转换器、逆变器和稳压器。

  • 开关应用: 如电机控制、照明控制、电源开关和电源适配器。

  • 汽车电子: 如电动汽车控制、电池管理和充电系统。

  • 工业自动化: 如工控系统、电力设备和机器人控制。

5. 参数

以下是IRFZ24NPBF的主要参数:

  • 最大漏极-源极电压(V_DS(max)): 指定了MOSFET可以承受的最大电压。

  • 最大漏极电流(I_D(max)): 指定了MOSFET在导通状态下可以通过的最大电流。

  • 阈值电压(V_th): 触发MOSFET导通的最小栅极电压。

  • 导通电阻(R_DS(on)): 在导通状态下的电阻大小。

  • 栅极电荷(Q_g): 切换时所需的栅极电荷量。

  • 热阻(RθJA): 热阻,影响MOSFET在高功率应用下的散热性能。

总结

英飞凌(Infineon)IRFZ24NPBF是一款高性能的N沟道MOSFET,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。它在电源管理、开关控制和工业自动化等领域有着广泛的应用。通过控制栅极电压,可以精确控制其导通状态,从而实现高效能的能源转换和电流控制。

责任编辑:David

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