英飞凌IRFZ24NPBF MOS管中文资料


英飞凌(Infineon)IRFZ24NPBF MOS管详细资料
1. 型号类型及基本介绍
英飞凌(Infineon)IRFZ24NPBF是一款N沟道场效应MOS场效应晶体管(MOSFET)。它被广泛应用于各种电源控制和开关应用中,因其高性能和可靠性而闻名于世。
厂商名称:英飞凌IRFZ24NPBF图片
元件分类:MOS管
中文描述: MOSFET,HEXFET系列,N沟道,Si,Vds=55 V,17 A,3引脚,TO-220AB封装
英文描述: Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube
数据手册:https://www.iczoom.com/data/k02-24428344-IRFZ24NPBF.html
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IRFZ24NPBF中文参数
通道类型 | N | 最大功率耗散 | 45 W |
最大连续漏极电流 | 17 A | 晶体管配置 | 单 |
最大漏源电压 | 55 V | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
封装类型 | TO-220AB | 每片芯片元件数目 | 1 |
安装类型 | 通孔 | 高度 | 8.77mm |
引脚数目 | 3 | 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC @ 10 V |
最大漏源电阻值 | 70 mΩ | 最低工作温度 | -55 °C |
通道模式 | 增强 | 系列 | HEXFET |
最大栅阈值电压 | 4V | 最高工作温度 | +175 °C |
最小栅阈值电压 | 2V | 晶体管材料 | Si |
IRFZ24NPBF概述
IRFZ24NPBF是一款55V单N沟道HEXFET®功率MOSFET,采用先进的平面技术,具有极低的导通电阻,以及快速开关性能。
175°C工作温度
动态dV/dt额定值
雪崩级别
应用
电源管理
2. 工作原理
IRFZ24NPBF的工作原理基于N沟道MOSFET的特性。它主要由栅极(Gate)、漏极(Drain)和源极(Source)组成。当施加在栅极上的电压(V_GS)超过了阈值电压(V_th)时,形成了一个导电通道,使得漏极和源极之间产生电流通路。该通道的导电性可以通过栅极电压的控制来调节,因此IRFZ24NPBF可以在低栅极电压下实现高效的电流控制。
3. 特点
低导通电阻(R_DS(on)): IRFZ24NPBF具有较低的导通电阻,能够在导通状态下降低功耗和温升。
高开关速度: 快速的开关特性使其适用于需要快速响应和高频率操作的应用。
良好的热稳定性: 具备良好的热管理和稳定性,能够在各种环境条件下稳定工作。
可靠性高: 设计优化和先进的材料选择确保了长期稳定的性能表现。
4. 应用
IRFZ24NPBF广泛应用于以下领域:
电源管理: 如DC-DC转换器、逆变器和稳压器。
开关应用: 如电机控制、照明控制、电源开关和电源适配器。
汽车电子: 如电动汽车控制、电池管理和充电系统。
工业自动化: 如工控系统、电力设备和机器人控制。
5. 参数
以下是IRFZ24NPBF的主要参数:
最大漏极-源极电压(V_DS(max)): 指定了MOSFET可以承受的最大电压。
最大漏极电流(I_D(max)): 指定了MOSFET在导通状态下可以通过的最大电流。
阈值电压(V_th): 触发MOSFET导通的最小栅极电压。
导通电阻(R_DS(on)): 在导通状态下的电阻大小。
栅极电荷(Q_g): 切换时所需的栅极电荷量。
热阻(RθJA): 热阻,影响MOSFET在高功率应用下的散热性能。
总结
英飞凌(Infineon)IRFZ24NPBF是一款高性能的N沟道MOSFET,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。它在电源管理、开关控制和工业自动化等领域有着广泛的应用。通过控制栅极电压,可以精确控制其导通状态,从而实现高效能的能源转换和电流控制。
责任编辑:David
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