安森美BSS138 MOS管中文资料

一、型号类型及概述

安森美半导体（ON Semiconductor）是全球领先的半导体公司之一，提供全面的半导体解决方案。BSS138是一种N沟道增强型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），广泛应用于各种电子电路中。

BSS138 MOS管属于小信号MOSFET，主要特点是低导通电阻和高开关速度。该器件采用SOT-23封装，非常适合表面贴装技术，广泛用于低电压开关和信号处理应用。其主要型号有标准型、增强型等，这些型号在电气特性上有所差异，但在基本结构和工作原理上是一致的。

厂商名称：ON安森美

元件分类：MOS管

中文描述： MOSFET，N沟道，Si，Vds=50 V，220 mA，3引脚SOT-23封装

英文描述： MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23

数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-36773881-BSS138.html

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BSS138中文参数

BSS138概述

BSS138是采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产的50V N通道逻辑电平增强模式场效应晶体管。该器件的设计旨在最大程度地降低导通电阻，同时提供坚固，可靠和快速的开关性能。它特别适用于低电压，低电流应用，例如小型伺服电机控制，功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。该产品是一般用途，适用于许多不同的应用。

高密度电池设计，可实现极低的RDS(ON)

坚固可靠

±20V栅极电源电压(VGSS)

350°C/W热阻，与环境连接

应用

工业，电机驱动与控制，电源管理

二、工作原理

MOSFET（场效应晶体管）是一种通过电场效应来控制电流的半导体器件。BSS138作为N沟道增强型MOSFET，其工作原理如下：

1. 结构：BSS138由P型衬底、源极（S）、漏极（D）和栅极（G）组成。在P型衬底上，形成两个N型区域，分别作为源极和漏极。栅极与源漏极之间通过二氧化硅（SiO2）绝缘层隔开。

2. 工作机制：

• 关闭状态：当栅极电压（V_GS）小于阈值电压（V_th）时，MOSFET处于关闭状态，漏极与源极之间的导通通道未形成，漏极电流（I_D）几乎为零。

• 开启状态：当V_GS大于V_th时，栅极电场诱导在P型衬底上形成一个反型层，连接源极和漏极，形成导通通道。此时，漏极电流I_D与漏源电压（V_DS）和栅源电压（V_GS）有关。

3. 导通区和饱和区：

• 线性区（导通区）：V_DS较小，I_D与V_DS呈线性关系，主要受栅极电压控制。

• 饱和区：V_DS较大，I_D趋于饱和，主要受栅极电压控制。

三、特点

BSS138 MOS管具有以下显著特点：

1. 低导通电阻：在导通状态下，导通电阻R_DS(on)较低，减少了功率损耗。

2. 高开关速度：开关速度快，适用于高速开关电路。

3. 低栅极驱动电压：能够在较低的栅极电压下实现开启，有助于节能。

4. 小封装尺寸：SOT-23封装，适合高密度电路板设计。

5. 高输入阻抗：由于栅极与通道之间存在绝缘层，输入阻抗非常高，几乎没有直流电流流入栅极。

四、应用

BSS138 MOS管因其优异的电气特性和小型封装，在各种电子应用中广泛使用：

1. 开关电路：用于低电压开关电路，如电源开关、负载开关等。

2. 信号处理：用于模拟开关、信号放大和调制解调等电路。

3. 电源管理：用于DC-DC转换器、稳压器和电池管理系统。

4. 通信设备：应用于无线通信设备的射频开关和低噪声放大器。

5. 消费电子：用于手机、笔记本电脑、智能家居设备中的电源和信号控制。

五、主要参数

了解BSS138的关键参数对其应用选择至关重要，以下是其主要参数：

1. 最大漏源电压（V_DS）：50V - 这是漏极与源极之间可以承受的最大电压。

2. 最大栅源电压（V_GS）：±20V - 这是栅极与源极之间可以承受的最大电压。

3. 最大漏极电流（I_D）：200mA - 在特定条件下，漏极可以通过的最大电流。

4. 导通电阻（R_DS(on)）：1.5Ω（V_GS=10V） - 在一定栅源电压下的导通状态电阻。

5. 阈值电压（V_th）：1-2.5V - MOSFET开始导通的栅源电压。

6. 总栅极电荷（Q_g）：2nC - 用于估算栅极驱动所需的能量。

7. 结电容（C_iss）：58pF - 反映器件的输入电容，影响开关速度。

8. 功耗（P_D）：300mW - 最大允许功耗，决定了器件在工作时的热管理要求。

六、实际应用中的注意事项

在实际应用中，设计者需注意以下几点，以确保BSS138的性能和可靠性：

1. 热管理：尽管BSS138具有较高的功率密度，但在高电流和高频率应用中，热管理至关重要。应考虑散热措施，如增加散热铜箔或使用散热片。

2. ESD保护：MOSFET对静电敏感，需采取适当的防静电措施，避免器件损坏。

3. 驱动电路：设计合适的栅极驱动电路，确保提供足够的栅极电压和驱动电流，尤其在高频开关应用中，驱动能力直接影响开关速度和效率。

4. 电压应力：在设计电路时，应确保工作电压不超过器件的最大额定电压，避免击穿损坏。

总结

安森美BSS138 MOS管因其低导通电阻、高开关速度和小型封装，成为低电压开关和信号处理应用的理想选择。在实际应用中，设计者需合理考虑热管理、静电防护和驱动电路设计，以充分发挥其优异性能。通过了解其关键参数和应用领域，可以更好地选择和使用BSS138 MOS管，从而提升电子设备的整体性能和可靠性。