安森美2N7002KT1G MOS管详细介绍

安森美（ON Semiconductor）2N7002KT1G是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要用于开关和放大器应用。MOSFET是一种电压控制的电子开关，因其高速开关特性和低导通电阻而广泛应用于各类电子电路中。

厂商名称：ON安森美

元件分类：MOS管

中文描述： 功率场效应管，MOSFET，N沟道，60 V，380 mA，1.19 ohm，SOT-23，表面安装

英文描述： Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R

数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-24422957-2N7002KT1G.html

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2N7002KT1G中文参数

2N7002KT1G概述

2N7002KT1G是一个N沟道小信号MOSFET，提供60V的漏极源极电压和320mA的稳态漏极电流。它适用于低压侧负载开关，电平转换电路，DC-DC转换器，便携式DSC和PDA应用。

低RDS(开启)

表面贴装

无卤素

ESD保护

-55至150°C的工作结温范围

应用

便携式器材，消费电子产品，电源管理，工业

工作原理

MOSFET的工作原理基于其三端结构：栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）。N沟道增强型MOSFET的栅极与源极之间施加正电压时，在半导体表面形成反型层，允许电子在漏极和源极之间导通。当栅极电压超过阈值电压（V_GS_th）时，形成导电通道，MOSFET进入导通状态；当栅极电压低于阈值电压时，通道消失，MOSFET处于截止状态。该器件的电流流动由漏极电压（V_DS）和栅源电压（V_GS）控制。

特点

2N7002KT1G MOS管具有以下特点：

1. 低导通电阻（R_DS(on)）：导通电阻低，减少了导通损耗，提高了效率。

2. 高开关速度：能够快速切换，适合高频应用。

3. 高输入阻抗：栅极输入阻抗高，减少了对前级驱动电路的负担。

4. 低门极电荷（Qg）：栅极电荷低，降低了开关损耗和驱动功率需求。

5. 高可靠性：耐高电压和高电流，能够在恶劣环境下稳定工作。

应用

2N7002KT1G MOS管广泛应用于以下领域：

1. 电源管理：用于DC-DC转换器、开关电源和负载开关。

2. 电机驱动：用于控制电机的开关和调速。

3. 信号放大：在模拟电路中用于信号放大。

4. 开关电路：在数字电路中用于逻辑电平转换和开关控制。

5. 保护电路：用于过压保护和防反接保护。

参数

以下是2N7002KT1G的主要电气参数和特性：

1. 漏源电压（V_DS）：最大60V，这意味着该器件能承受的最大漏源电压为60伏特。

2. 栅源电压（V_GS）：最大±20V，指栅极和源极之间允许施加的最大电压。

3. 漏极电流（I_D）：最大200mA，指漏极允许通过的最大电流。

4. 导通电阻（R_DS(on)）：最大值为2Ω（当V_GS=10V时），表明在导通状态下的电阻值。

5. 阈值电压（V_GS(th)）：在0.8V到3V之间，指MOSFET开始导通的栅源电压。

6. 漏源击穿电压（BVDSS）：为60V，表示漏源间电压超过此值时会发生击穿。

7. 栅极电荷（Qg）：为2nC，指完全打开或关闭MOSFET所需的总栅电荷量。

8. 最大耗散功率（P_D）：为200mW，表示器件在规定条件下能够耗散的最大功率。

9. 工作温度范围（T_J）：为-55°C至+150°C，指器件能够正常工作的环境温度范围。

封装与外观

2N7002KT1G MOS管采用SOT-23封装，具有小体积、高可靠性等特点。SOT-23封装使其在电路板上占用空间小，适合高密度电路设计。

封装的优点

1. 体积小：适合小型化电子设备。

2. 散热性能好：良好的散热性能，适合高功率应用。

3. 高可靠性：封装技术成熟，稳定性高。

综上所述，安森美2N7002KT1G是一款性能优异、应用广泛的N沟道增强型MOSFET，凭借其低导通电阻、高开关速度和高可靠性，在各种电子设备中得到了广泛应用。无论是在电源管理、电机驱动还是信号放大和保护电路中，2N7002KT1G都表现出色，是现代电子电路设计中不可或缺的重要元件。