安森美MMBT5551LT1G NPN硅高压晶体管中文资料

1. 型号类型

安森美半导体（ON Semiconductor）生产的MMBT5551LT1G是一款NPN硅高压晶体管。NPN晶体管是一种使用n型半导体材料作为发射极和集电极，p型半导体材料作为基极的三极管。MMBT5551LT1G属于小信号晶体管，适用于高电压应用场合。该器件封装为SOT-23，这是一个小型封装形式，适合表面贴装技术（SMT）的应用。

中文描述： 单晶体管，双极，通用，NPN，160 V，225 mW，600 mA，80 hFE

英文描述： Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-24021174-MMBT5551LT1G.html

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MMBT5551LT1G中文参数

MMBT5551LT1G概述

MMBT5551LT1G是一款NPN硅高压晶体管，设计用于独特的场地与控制变化要求。该晶体管符合PPAP，并符合AEC-Q101要求。

无卤素

带S或NSV前缀的制造商部件号具有汽车资格。

应用

车用，工业

2. 工作原理

NPN晶体管的工作原理基于半导体的p-n结特性。MMBT5551LT1G作为NPN晶体管，由三个区域组成：发射极（E）、基极（B）和集电极（C）。其工作原理可简要描述如下：

1. 发射极-基极结（E-B结）：在发射极和基极之间存在一个p-n结。通过在该结上施加正向偏压（发射极为负，基极为正），电子从n型发射极注入到p型基极。

2. 基极-集电极结（B-C结）：在基极和集电极之间存在一个反向偏置的p-n结（基极为负，集电极为正）。由于反向偏置，电子从基极迅速通过B-C结进入集电极。

3. 电流放大作用：大多数电子从发射极注入基极后，不会在基极区复合，而是直接通过基极-集电极结进入集电极。这形成了集电极电流（Ic）。基极电流（Ib）只是发射极电流（Ie）的一小部分，而集电极电流主要由发射极电流贡献。因此，NPN晶体管可以实现电流放大作用。

3. 特点

MMBT5551LT1G具备以下特点：

1. 高电压承受能力：该晶体管的集电极-发射极击穿电压（Vceo）高达160V，适合高电压应用场合。

2. 小型封装：SOT-23封装使得该器件适合空间受限的应用，并支持表面贴装技术，提高了组装效率。

3. 低饱和电压：具有较低的饱和电压特性，确保在开关状态下的损耗较小，提高能效。

4. 快速开关速度：由于其小信号特性，MMBT5551LT1G具有快速的开关速度，适用于高频应用。

4. 应用

MMBT5551LT1G主要应用于以下领域：

1. 开关电源：用于电源开关电路，提供高效率的电能转换。

2. 电机驱动电路：在高压电机控制电路中，用作驱动器件。

3. 信号放大：在高压信号放大电路中，用作放大器件，适用于音频和射频信号放大。

4. 保护电路：在过压保护电路中，用作保护元件，以防止电路中的过电压损害其他元器件。

5. 参数

MMBT5551LT1G的主要参数如下：

1. 电气参数：

• 集电极-发射极击穿电压（Vceo）：160V

• 集电极-基极击穿电压（Vcbo）：180V

• 发射极-基极击穿电压（Vebo）：6V

• 集电极电流（Ic）：600mA

• 基极电流（Ib）：50mA

2. 热学参数：

• 功耗（Pd）：350mW

• 热阻（RθJA）：357°C/W（在SOT-23封装中）

3. 电流增益（hFE）：

• 在Ic = 10mA, Vce = 5V条件下：50到250

4. 饱和电压：

• 集电极-发射极饱和电压（Vce(sat)）：典型值0.25V（Ic = 10mA, Ib = 1mA）

5. 开关特性：

• 上升时间（tr）：典型值35ns

• 下降时间（tf）：典型值35ns

MMBT5551LT1G作为一种高压NPN硅晶体管，以其高电压承受能力、小型封装、低饱和电压和快速开关速度等特点，在开关电源、电机驱动、信号放大和保护电路等多种应用中发挥着重要作用。其主要参数显示了该器件在高效能和高可靠性应用中的适用性，广泛应用于需要高电压和高频操作的电子设备中。