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德州仪器BQ2022ADBZR EPROM 1Kbit 2.65V~5.5V非易失性存储器(ROM) 中文资料

来源:
2024-06-07
类别:基础知识
eye 23
文章创建人 拍明芯城

德州仪器 BQ2022ADBZR EPROM 非易失性存储器中文资料

一、型号类型

德州仪器(Texas Instruments, 简称TI)的BQ2022ADBZR是一种非易失性存储器,属于EPROM(可擦除可编程只读存储器)类型。具体来说,它是一款1Kbit的存储器,工作电压范围为2.65V到5.5V。这款存储器特别适用于需要数据长时间保存并且偶尔需要重新编程的应用场景。

BQ2022ADBZR属于BQ2022系列,该系列产品在存储容量、封装形式和编程特性上有所不同,用户可以根据实际需求选择适合的型号。该系列的主要型号包括:

  • BQ2022ADBZR

  • BQ2022BDGKR

  • BQ2022CDRZR

这些型号在容量和性能上可能基本相同,但在封装形式上有所区别,以适应不同的应用需求。

image.png


描述:贴片安装,黏合安装 Single Wire SOT-23-3 4Pagesx256 20μA 2.65V~5.5V 2.65V~5.5V 128B 11.5V~12V

数据手册查看:https://www.iczoom.com/data/k01-36761791-BQ2022ADBZR.html

在线购买:BQ2022ADBZR

产品属性属性值
商品目录

存储器>可擦除编程只读存储器(EPROM)

通用封装

SOT-23-3

RoHS

合规

安装方式

贴片安装,黏合安装

工作温度

-20℃(TA)-70℃(TA)

长*宽*高

-

应用等级

-

零件状态

在售

包装方式

散装,卷带包装

存储容量

128B

接口类型

Single Wire

数据总线宽度

-

最大供电电流

20μA

最大工作供电电压

2.65V~5.5V

最大时钟频率

-

最小工作供电电压

2.65V~5.5V

组织

4Pagesx256

编程电压

11.5V~12V

二、工作原理

BQ2022ADBZR作为一种EPROM,其基本工作原理是通过电场效应将电子注入或移出浮栅,以改变存储单元的状态。这种状态的变化代表了数据的“0”和“1”,从而实现数据存储和读取。EPROM的特点是数据一旦写入,就能够长期保存,且在无电源情况下也不会丢失数据。

该器件的工作原理包括以下几个方面:

  1. 编程(写入):通过特定的编程电压和时间,将数据写入EPROM。在写入过程中,电子通过隧道效应注入浮栅,改变浮栅电荷状态,从而改变存储单元的阈值电压。

  2. 读取:读取操作不需要额外的编程电压,只需要标准的工作电压。读取时,通过检测存储单元的阈值电压来判断存储的数据是“0”还是“1”。

  3. 擦除:EPROM的数据擦除通常需要紫外线照射。紫外线照射使得浮栅中的电子获得足够的能量跃迁至导带,从而清除浮栅电荷,恢复存储单元的初始状态。

BQ2022ADBZR通过单线接口进行数据传输和控制。这种单线接口极大地简化了电路设计,减少了引脚数量,提高了系统的集成度和可靠性。

三、特点

BQ2022ADBZR具有以下几个显著特点:

  1. 非易失性存储:数据写入后无需持续供电,能够长时间保存,适用于需要长期保存数据的应用。

  2. 单线接口:通过单线接口进行数据传输和控制,减少了系统的引脚数量和复杂度,提高了系统的可靠性。

  3. 宽工作电压范围:支持2.65V到5.5V的宽工作电压范围,适用于各种电源环境下的应用。

  4. 高可靠性:采用了先进的存储技术,保证数据存储的可靠性和稳定性,数据保持时间长达10年以上。

  5. 小封装尺寸:采用SOT-23封装,占用PCB空间小,适用于对尺寸要求较高的应用场景。

四、应用

BQ2022ADBZR广泛应用于以下几个领域:

  1. 电池管理系统(BMS):用于存储电池参数和历史数据,确保电池管理系统的正常运行和数据追溯。

  2. 医疗设备:用于存储患者数据和设备配置,确保医疗设备的可靠性和数据安全。

  3. 消费电子:在智能手机、平板电脑等消费电子设备中,用于存储设备配置信息和用户数据。

  4. 工业控制:在工业自动化系统中,用于存储系统参数和历史数据,确保系统的稳定运行和数据追溯。

  5. 物联网(IoT):在物联网设备中,用于存储传感器数据和设备配置,提高设备的智能化水平和数据安全性。

五、参数

BQ2022ADBZR的主要参数如下:

参数数值
存储容量1Kbit
工作电压范围2.65V - 5.5V
存储类型EPROM
接口类型单线接口
数据保持时间10年以上
封装形式SOT-23
工作温度范围-40°C to 85°C
写入周期10ms (typical)
擦除周期需要紫外线照射

1. 存储容量

BQ2022ADBZR的存储容量为1Kbit,即128字节。每个字节可以单独编程和读取,用户可以根据需要存储不同的数据。

2. 工作电压范围

该器件的工作电压范围为2.65V到5.5V,能够适应各种不同的电源环境,具有较高的电源适应性。

3. 存储类型

作为一种EPROM,BQ2022ADBZR在数据保持方面具有显著优势,能够在无电源情况下长期保存数据。

4. 接口类型

采用单线接口进行数据传输和控制,这种设计不仅简化了电路设计,还提高了系统的集成度和可靠性。

5. 数据保持时间

BQ2022ADBZR的数据保持时间可达10年以上,保证了数据的长期可靠性和安全性。

6. 封装形式

该器件采用SOT-23封装,占用PCB空间小,适用于对尺寸要求较高的应用场景。

7. 工作温度范围

工作温度范围为-40°C到85°C,能够在各种严苛的环境条件下稳定工作。

8. 写入周期

典型写入周期为10ms,能够快速完成数据写入,提高系统的工作效率。

9. 擦除周期

EPROM的擦除需要紫外线照射,这种方式虽然不如电擦除方便,但在实际应用中能够保证数据的安全性和稳定性。

BQ2022ADBZR作为一种高可靠性的非易失性存储器,凭借其独特的优势和广泛的应用,成为了各类电子系统中不可或缺的关键器件。在未来的发展中,随着技术的不断进步和应用场景的不断扩展,BQ2022ADBZR将继续在电子领域发挥重要作用。

责任编辑:David

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