安森美 BSS84 MOS管

安森美（ON Semiconductor）的BSS84是一种N沟道增强型MOS场效应晶体管（MOSFET），具有低阻抗和高开关速度的特点。本文将详细介绍BSS84 MOS管的型号类型、工作原理、特点、应用及其主要参数。

中文描述： 功率场效应管，MOSFET，P沟道，50 V，130 mA，1.2 ohm，SOT-23，表面安装

英文描述： Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R

BSS84中文参数

BSS84概述

Fairchild公司的BSS84为P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，SOT-23封装.这一产品设计以最小化通导电阻，同时提供坚固耐用，可靠并高速的开关性能，因此BSS84适合低电压，低电流和开关应用.

电压控制P通道小信号开关

高密电池设计，用于极低RDS(ON)

高饱和电流

漏极至源极电压(Vds):-50V

栅源电压:±20V

Vgs 10V，低通导电阻:3.5ohm

持续漏电流:-130mA

最大功率耗散:360mW

工作结温范围:-55°C至150°C

应用

电源管理，工业，便携式器材，消费电子产品

类型

安森美BSS84 MOS管主要包括以下几种型号：

• BSS84：标准型号。

• BSS84-7：带ESD保护的型号。

• BSS84DW1T1G：SOT-363封装，带排放端保护的型号。

• BSS84W：带ESD保护的型号，适用于静电敏感应用。

这些型号的选择取决于具体的应用需求，如电流和电压容忍度、ESD（静电放电）保护等。

工作原理

BSS84 MOS管的工作原理基于MOSFET的基本原理，其主要包括以下几个步骤：

1. 控制信号输入：通过MOS管的栅极（Gate）输入控制信号。

2. 电场调控：控制信号作用于栅极，产生电场，调控了栅极和源极之间的电荷分布。

3. 沟道形成：当栅极施加正电压时，形成N沟道，使得源极和漏极之间形成导电通路。

4. 电流流动：当沟道形成后，根据栅极和源极之间的电压差，电流开始从源极流向漏极，控制了MOS管的导通状态。

通过调控栅极电压，可以控制BSS84 MOS管的导通和截止状态，实现对电路的开关控制。

特点

安森美BSS84 MOS管具有以下显著特点：

1. 低阻抗：具有低导通电阻，能够实现较小的导通损耗。

2. 高开关速度：响应速度快，能够实现快速的开关操作。

3. 低门槽电压：具有低的门槽电压，适用于低电压驱动电路。

4. ESD保护：部分型号带有ESD保护，提高了器件的抗静电能力，增强了器件的稳定性和可靠性。

5. 小型封装：采用小型封装设计，体积小巧，适用于空间受限的应用场合。

6. 高温特性：能够在较高温度下工作，适用于高温环境的应用。

这些特点使得BSS84 MOS管在各种低压开关应用中得到了广泛应用。

应用

BSS84 MOS管广泛应用于以下领域：

1. 电源管理：用于电源开关、稳压器和DC-DC转换器等电源管理电路。

2. 模拟开关：用于模拟开关、信号开关和模拟多路选择器等电路。

3. 电流控制：用于电流控制、电流调节和电流限制等电路。

4. 低压开关：用于低压开关和低功耗应用，如便携式设备、消费电子产品等。

5. 静电敏感应用：部分型号带有ESD保护，适用于对静电敏感的应用场合。

参数

以下是BSS84 MOS管的主要参数：

• 漏极-源极电压（V_DS）：通常为20V至100V。

• 栅极-源极电压（V_GS）：通常为±20V。

• 漏极电流（I_D）：通常为几十毫安至几安。

• 漏极-源极电阻（R_DS(on)）：通常为几欧姆至几十欧姆。

• 工作温度范围：通常为-55°C至+150°C。

这些参数可以根据具体的应用需求进行选择和配置，以满足不同应用场景下的需求。

安森美BSS84 MOS管具有低阻抗、高开关速度和ESD保护等特点，适用于各种低压开关和静电敏感应用。无论是电源管理、模拟开关，还是电流控制和低压开关应用，BSS84 MOS管都能够提供可靠的性能和稳定的工作效果。