安森美2N7000 MOS管中文资料

安森美2N7000是一款N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要用于开关和放大电路。2N7000属于低功率MOSFET，广泛应用于各种电子电路中，尤其适合在电压控制的开关和模拟信号放大应用中。2N7000的封装形式主要为TO-92，但在某些情况下也可能采用SOT-23封装。其主要特点是具有较低的导通电阻（R_DS(on)），开关速度快，驱动电压低，适用于各种低电压驱动应用。

除了2N7000外，安森美还生产其他型号的MOSFET，如N沟道增强型MOSFET 2N7002，其主要参数与2N7000相似，但通常采用SOT-23封装，更适合表面贴装技术（SMT）的应用。

中文描述： 功率场效应管，MOSFET，N沟道，60 V，200 mA，5 ohm，TO-92，通孔

英文描述： Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag

2N7000中文参数

2N7000概述

2N7000是N沟道增强型场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺旨在最大限度地减少导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。它可用于需要高达400mA DC的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流。它还适用于低电压、低电流应用，例如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。

压控小信号开关

坚固可靠

工作原理

2N7000 MOSFET的工作原理基于场效应晶体管的基本操作原理。MOSFET通过栅极电压控制源极和漏极之间的电流。对于N沟道增强型MOSFET，当栅极-源极电压（V_GS）大于阈值电压（V_th）时，沟道被“增强”，即沟道中的电子密度增加，从而允许电流从漏极流向源极。

具体工作原理如下：

1. 截止区（V_GS < V_th）： 当栅极-源极电压小于阈值电压时，MOSFET处于截止状态，漏极和源极之间没有导电沟道，漏极电流接近为零。

2. 线性区（V_GS > V_th 且 V_DS < (V_GS - V_th)）： 当栅极-源极电压大于阈值电压，并且漏源电压（V_DS）小于栅极-源极电压与阈值电压之差时，MOSFET工作在线性区，漏极电流与V_DS成线性关系。

3. 饱和区（V_GS > V_th 且 V_DS ≥ (V_GS - V_th)）： 当栅极-源极电压大于阈值电压，且漏源电压大于或等于栅极-源极电压与阈值电压之差时，MOSFET工作在饱和区，此时漏极电流主要由栅极电压控制，与V_DS变化关系不大。

特点

2N7000 MOSFET具备以下几个主要特点：

1. 低导通电阻（R_DS(on)）： 2N7000在开启状态下，漏源间的导通电阻较低，通常在几欧姆范围内。低导通电阻有助于减少功耗，提高电路效率。

2. 快速开关速度： 2N7000的开关速度快，能够在短时间内实现从导通到截止或从截止到导通的状态转换，适用于高频应用。

3. 低栅极驱动电压： 2N7000的栅极驱动电压较低，通常在1-2V左右即可开启，适合低电压逻辑电路的驱动要求。

4. 耐压高： 2N7000的最大漏源电压（V_DS）可达60V，能够在较高电压环境下工作。

5. 封装小巧： TO-92和SOT-23封装使得2N7000适合用于空间受限的应用中，便于设计紧凑的电路板布局。

应用

2N7000 MOSFET广泛应用于各种电子电路中，以下是一些典型应用领域：

1. 开关电路： 利用其快速开关特性，2N7000常用于数字电路中的开关控制，如LED驱动、电机驱动、继电器控制等。

2. 放大电路： 由于其良好的线性特性，2N7000适用于小信号放大电路，如音频放大器、射频放大器等。

3. 电源管理： 2N7000常用于DC-DC转换器、稳压电源等电源管理电路中，用于开关调节和电压转换。

4. 逻辑电平转换： 在混合电压系统中，2N7000可以用来实现不同电压逻辑电平之间的转换。

5. 保护电路： 2N7000可以用于过压保护和过流保护电路中，通过快速切断电路来保护敏感元件。

参数

以下是2N7000 MOSFET的一些关键参数：

• 漏源电压（V_DS）： 最大60V

• 栅源电压（V_GS）： ±20V

• 连续漏极电流（I_D）： 最大200mA（TA = 25°C）

• 脉冲漏极电流（I_DM）： 最大500mA

• 导通电阻（R_DS(on)）： 最大5Ω（V_GS = 10V，I_D = 500mA）

• 阈值电压（V_th）： 1V至3V

• 漏极-源极电容（C_DG）： 8pF（典型值）

• 源极-栅极电容（C_GS）： 20pF（典型值）

• 切换时间：

• 上升时间（t_r）：20ns（典型值）

• 下降时间（t_f）：20ns（典型值）

• 功耗（P_D）： 最大350mW（TA = 25°C）

结束语

总的来说，安森美2N7000 MOS管以其高效、可靠和多功能的特点，成为了各种电子电路中不可或缺的元件之一。无论是在开关电路、放大电路、电源管理还是保护电路中，2N7000都能发挥其出色的性能，满足不同应用的需求。通过了解其工作原理、主要特点和应用领域，可以更好地在实际电路设计中发挥其优势，实现高效稳定的电路功能。