反向偏置（Reverse Bias）是指在PN结或半导体二极管中，将P区的引脚连接到电源的负极（或称为“地”），而N区的引脚连接到电源的正极，从而在PN结上施加一个反向电压的状态。在反向偏置下，PN结的耗尽区（Depletion Region）会扩展，阻止电流的正向导通，但可能会允许一定的反向电流（Leakage Current）通过。

反向电流（Reverse Current）是在PN结或二极管处于反向偏置状态下，从N区流向P区（或从P区流向N区，取决于偏置方向）的电流。在正常的反向偏置条件下，反向电流非常小，主要由少数载流子（即P区中的自由电子或N区中的空穴）的扩散形成。

对于反向电流，没有一个固定的公式可以适用于所有情况，因为它受到多种因素的影响，如温度、PN结的材料和制造工艺等。然而，在理想情况下，反向电流可以近似地表示为：

I_R = I_S * (e^(V_R / (n * V_T)) - 1)

其中：

• I_R 是反向电流

• I_S 是反向饱和电流（Saturation Current），是一个与PN结材料和温度有关的常数

• V_R 是反向电压

• n 是理想因子（Ideality Factor），通常接近于1，但在实际器件中可能有所不同

• V_T 是热电压（Thermal Voltage），与温度有关，约为kT/q，其中k是玻尔兹曼常数，T是绝对温度，q是电子电荷

这个公式是基于肖克莱二极管方程（Shockley Diode Equation）的近似形式，用于描述二极管在反向偏置下的电流-电压关系。但请注意，这个公式主要用于理想二极管或低电流条件下的近似分析，对于实际的高功率或高温应用，可能需要更复杂的模型和公式来描述反向电流的行为。