5v驱动得了mos管吗

5V电压能否驱动MOSFET取决于几个因素，包括MOSFET的类型（N沟道或P沟道）、其栅极阈值电压（Vgs(th)）、以及应用的具体要求。

1. N沟道MOSFET：

• 对于N沟道MOSFET，如果其栅极阈值电压（Vgs(th)）较低，例如在1V到2V之间，那么5V驱动通常是足够的，可以使MOSFET完全导通。

• 如果Vgs(th)较高，例如在4V或以上，5V可能不足以完全驱动MOSFET到其饱和区，可能导致较高的导通电阻（Rds(on)）和较差的性能。

2. P沟道MOSFET：

• 对于P沟道MOSFET，驱动电压相对复杂一些。一般来说，P沟道MOSFET需要一个负的栅极-源极电压（Vgs）来导通。如果源极电压为5V，那么栅极需要接地（0V）以提供足够的负电压（Vgs = -5V）。

• 类似N沟道MOSFET，P沟道MOSFET也有一个阈值电压（Vgs(th)），如果这个阈值电压较低，5V驱动可能是足够的。

具体考虑因素

• 阈值电压（Vgs(th)）：确认MOSFET的数据手册，找到Vgs(th)值。确保驱动电压远高于Vgs(th)值，以保证MOSFET完全导通。

• 导通电阻（Rds(on)）：即使MOSFET可以在5V下导通，检查Rds(on)在5V驱动电压下是否在可接受的范围内。较高的Rds(on)可能导致功率损耗增加。

• 应用要求：根据具体应用场景，负载电流和开关频率也会影响对驱动电压的要求。

实例

例如，对于一个常见的N沟道MOSFET如IRLZ44N，其Vgs(th)约为1-2V，在5V栅极驱动下，其Rds(on)约为22毫欧姆，这通常对于大多数应用是足够的。然而，对于一个高Vgs(th)的MOSFET，如IRF540N，其Vgs(th)约为2-4V，5V驱动可能不足以使其完全导通。

综上所述，5V驱动是可以驱动MOSFET的，但需要根据具体的MOSFET型号和应用要求进行确认。如果不确定，可以选择逻辑电平MOSFET，它们设计用于低电压驱动。