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什么是SiC肖特基势垒二极管
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SiC肖特基势垒二极管，也被称为碳化硅肖特基二极管或SiC碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD），是利用碳化硅（SiC）这种化合物半导体材料制作的二极管。
它的基本原理是利用金属与N型半导体之间形成的接触势垒具有整流特性。碳化硅肖特基二极管采用碳化硅材料制成，其结构与普通PN结二极管相似，但没有PN结。它由金属反型接触和一个P型碳化硅半导体组成，具有低开启电压和高速开关能力。
SiC肖特基势垒二极管在高温、高频和高功率应用中具有显著的优势，如低损耗、高抗压、高效率、高温稳定性好等。它的工作温度范围宽，可以在极端温度下正常工作，同时能够承受高的电压和大的功率。此外，SiC肖特基势垒二极管还具有较短的恢复时间和无反向恢复电流量的特点，这使得它在电力电子技术领域具有巨大的应用潜力。
SiC肖特基势垒二极管的应用领域非常广泛，包括太阳能逆变器、新能源汽车充电器、电机驱动、DC/DC转换器等，能够满足高温、高频、高功率等复杂工作条件的需求。
责任编辑：Pan
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