快恢复二极管（Fast Recovery Diode，简称FRD）和普通二极管在多个方面存在显著的区别，具体如下：

1. 结构和材料：

• 快恢复二极管的结构与普通二极管类似，但它在PN结的制作工艺和选择材料上做了一些改进。它使用的是高品质的硅材料来制作PN结，并通过在硅晶体中引入有选择性的杂质离子，并控制它们的扩散和分布来制造出高质量的PN结。此外，快恢复二极管的结构中还加入了阻挡层和扩散层等结构，以提高器件的性能。

• 普通二极管则只由P型和N型两种半导体材料构成的PN结组成，其结构相对简单。

2. 反向恢复时间：

• 快恢复二极管的主要特点之一是反向恢复时间短。由于它的基区很薄，反向恢复电荷很小，所以反向恢复时间较短。这使其特别适用于高频电路和需要快速切换的场合。

• 普通二极管的反向恢复时间相对较长，因此不太适用于需要快速切换的高频电路。

1. 正向压降和反向耐压：

• 快恢复二极管的正向压降通常高于普通二极管，但反向耐压（耐压值）也更高。这使得快恢复二极管能够承受更高的反向工作电压。

• 普通二极管的正向压降较低，但反向耐压也相对较低。

2. 应用场合：

• 快恢复二极管主要用于高频电路、开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。

• 普通二极管则广泛应用于整流、电压调节、放大等电路中，如电源整流、信号放大等。

3. 内部结构：

• 快恢复二极管属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。

• 普通二极管则只由P型和N型两种半导体材料构成的PN结组成。

综上所述，快恢复二极管和普通二极管在结构、材料、反向恢复时间、正向压降、反向耐压以及应用场合等方面存在显著的区别。在选择使用哪种二极管时，需要根据具体的电路需求和应用场合进行考虑。