PN结与MOS管在结构、工作原理和应用特性上存在显著的区别。

首先，从结构来看，PN结是由P型半导体和N型半导体在同一块半导体衬底上制作而成的，二者之间的边界或界面被称为PN结。而MOS管，全称金属-氧化物半导体场效应晶体管，由栅极、漏极和源极三个极构成，其栅极和源极之间存在绝缘层，通常为二氧化硅。

其次，在工作原理方面，PN结通过其独特的电势垒来控制电子和空穴的移动方向，实现电流的整流。当施加正向电压时，电势垒变窄，电子和空穴可以自由扩散并流过二极管；当施加反向电压时，电势垒变宽，电子和空穴几乎不能流过。而MOS管则是一个电压控制电流的器件，通过改变栅极与源极之间的电压来控制漏极与源极之间的电流，其栅极电压决定了漏极电流的大小。

最后，在应用特性上，PN结因其单向导电性而广泛应用于整流器、二极管等半导体器件中。而MOS管则因其电压控制电流的特性，在半导体主动元件、分立器件等领域有广泛应用，其栅极电压的变化可以精确控制漏极电流的变化，因此常用于需要精确控制电流的场景。

总的来说，PN结和MOS管在结构、工作原理和应用特性上各有特点，它们都是现代电子技术中不可或缺的重要元件。