BT33单结晶体管的工作原理主要基于其独特的结构和特性。这种单结晶体管具有两个基极（B1、B2）和一个发射极（E），其内部设计使得它可以用作单级振荡器电路，生成适合数字电路应用的脉冲信号。

在接通电源后，单结晶体管开始工作。当基极间加电压UBB时，RB1上分得的电压由分压比决定，这个分压比与管子结构有关，通常在0.5～0.9之间。随着电压的变化，当UE= UBB+UD时，单结晶体管内部的PN结开始导通，此时发射极电流IE会突然增大。这个突变点被称为峰点P，对应的电压UE和电流IE分别称为峰点电压UP和峰点电流IP。其中，UD为单结晶体管中PN结的正向压降，一般取UD=0.7V。

在单结晶体管中PN结导通之后，从发射区（P区）向基极的电流开始流动。此时，单结晶体管展现出负阻特性，即发射极电流增加时，发射极电压Ve反而减小。这一特性使得单结晶体管在电路中能够产生特殊的动态效果。

在振荡电路中，当电容通过电阻和可调电阻进行充电，其电压逐渐升高，达到单结晶体管的峰点电压时，单结晶体管开始导通。此时，电容通过单结晶体管和电阻放电，形成脉冲电压。这个脉冲电压可以作为可控硅的触发信号，从而驱动后续电路的工作。

总的来说，BT33单结晶体管的工作原理主要依赖于其PN结的导通与截止，以及负阻特性在电路中的动态作用。这些特性使得单结晶体管在脉冲产生、振荡电路等领域有着广泛的应用。