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PANJIT PZS52CxM1Q硅齐纳二极管的介绍、特性、及应用
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PANJIT PZS52CxM1Q硅齐纳二极管具有平面模具结构，是自动化组装过程的理想选择。DFN1006-2L封装二极管工作温度范围为-55°C至+150°C，最大标称齐纳电压范围为4.10V至49.35V。PANJIT PZS52CxM1Q硅齐纳二极管在+25°C时提供250mW最大峰值脉冲功耗，在10mA时提供0.9V最大正向电压。
特性
平面模具结构
非常适合自动化装配过程
DFN1006-2L包
可焊接端子符合MIL-STD-750，方法2026
无铅，符合欧盟RoHS 2.0
符合IEC 61249标准的绿色成型化合物
规范
+25℃时最大峰值脉冲功耗250mW
最大结对环境典型热阻500°C/W
0.9V最大正向电压在10mA
4.10V至19.35V最大标称齐纳电压范围
10欧姆至170欧姆最大标称齐纳阻抗范围
0.1µA ~ 3.0µA最大反向漏电流
-55℃~ +150℃工作温度范围
责任编辑：David
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