onsemi NVMFWS002N10MCL单n沟道功率mosfet的介绍、特性、及应用
来源:
hqbuy
2024-03-05
类别:基础知识
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拍明芯城
onsemi NVMFWS002N10MCL单n沟道功率mosfet具有177A连续漏极电流,2.8毫欧在10V R(DS(ON))和100V漏极源电压。NVMFWS002N10MCL采用5mm x 6mm平面引线封装,设计紧凑高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能,是汽车应用的理想选择。
特性
占地面积小(5mm x 6mm),设计紧凑
低R(DS(on)),最小化传导损耗
低Q(G)和电容,最大限度地减少驱动器损耗
通过aec - q101认证,具备PPAP能力
无铅,无卤素/无溴化阻燃,无铍,符合rohs标准
应用程序
48 v系统
开关电源
电池反保护
电源开关(高侧驱动、低侧驱动、h桥等)
规范
最大连续漏极电流177A
2.8毫欧在10V或3.8毫欧在4.5V R(DS(ON))最大
100V漏源电压
±20V栅源电压
脉冲漏极电流
-55°C至+175°C工作结和存储温度范围
典型的应用程序
责任编辑:David
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