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onsemi NTJD5121N/NVJD5121N双N-Ch功率mosfet的介绍、特性、及应用

来源: hqbuy
2024-01-30
类别:技术信息
eye 6
文章创建人 拍明芯城


    onsemi NTJD5121N/NVJD5121N双N-Ch功率mosfet具有较低的RDS(on)、栅极阈值和输入电容。onsemi NTJD5121N/NVJD5121N mosfet具有60V漏源电压和295A最大连续漏极电流。NTJD5121N/NVJD5121N具有AEC-Q101认证和PPAP功能,是汽车应用的理想选择。


    特性

    • 低R (DS(上))

    • 低门限

    • 低输入电容

    • ESD保护栅

    • NV前缀用于汽车和其他需要独特站点和控制更改要求的应用;通过AEC-Q101认证,具备PPAP能力

    • Pb-free设备


    应用程序

    • 低压负载开关

    • DC-DC变换器(降压和升压电路)


    规范

    • 295A最大连续漏极电流

    • 10V时1.6欧姆和4.5V时2.5欧姆 (DS(ON))最大值

    • 60V漏源电压

    • ±20V栅源电压

    • 900A脉冲漏极电流

    • -55°C至+150°C工作结和存储温度范围


    引出线


    责任编辑:David

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