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YAGEO XSemi N沟道和p沟道功率mosfet的介绍、特性、及应用
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MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种使用金属氧化物栅极的电压控制场效应晶体管。YAGEO XSemi的功率mosfet(也称为功率晶体管)具有低导通电阻和高开关速度，适用于各种应用，包括模拟和数字电路。可用的封装广泛用于商业和工业表面贴装应用。
与bjt不同，mosfet与载流通道是电隔离的，有助于降低器件的功耗。mosfet工作在三个电压区:三极管、饱和和截止。下面的方程式展示了这些区域(点击放大)。
特性
表面贴装封装
符合RoHS标准，无卤素
低栅极电荷
+150°C最高工作温度
n沟道mosfet
漏源电压20v ~ 700v
高达300a漏极电流，V(GS) @ 10v (4)
p沟道场效应管
漏源电压20v ~ 700v
漏极电流高达300a
电信系统
消费电子产品
责任编辑：David
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