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Qorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅(SiC)场效应管的介绍、特性、及应用
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Qorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅(SiC) fet是基于独特的“级联编码”电路配置的1200V, 23毫欧器件。在这种配置中，一个常开的SiC JFET与一个Si MOSFET一起封装，产生一个常关的SiC FET器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换Si igbt, Si超级结器件或SiC mosfet时需要最小的重新设计。这些器件采用节省空间的D2PAK-7L封装(实现自动化组装)，具有超低栅极电荷和卓越的反向恢复特性。Qorvo UF4SC120023B7S G4 SiC fet是切换感性负载和需要标准栅极驱动的应用的理想选择。
特性
23mW典型导通电阻
+175°C最高工作温度
卓越的243nC反向恢复
低1.2V体二极管
低37.8nC栅极电荷
4.8V典型阈值电压允许0V到15V驱动
低固有电容
HBM 2级和CDM C3级ESD保护
D(2)PAK-7L封装，用于更快的开关，干净的栅极波形
无铅，无卤，符合rohs标准
应用程序
电动汽车充电
光伏逆变器
开关电源
功率因数校正模块
感应加热
示意图
责任编辑：David
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