金士顿LPDDR4 DRAM器件具有低功耗和每次突发访问的自动预充电选项。这些DRAM设备提供DMI引脚支持写数据屏蔽和DBIdc功能。LPDDR4 DRAM器件采用FBGA-200封装，芯片密度为8gb。这些DRAM器件具有自动温度补偿自刷新(ATCSR)功能，通过内置温度传感器和每次银行刷新。LPDDR4器件工作温度范围为-25℃~ 85℃，最高时钟频率为1.6GHz，电源电压范围为1.06V ~ 1.95V。

特性

• 低功耗

• 每次银行刷新

• 部分阵列自刷新(PASR)
  

• 银行屏蔽

• 段屏蔽

• fbga - 200包

• 自动温度补偿自我刷新(ATCSR)内置温度传感器

• 支持所有银行自动刷新和定向每个银行自动刷新

• Double-data-rate架构;每一个时钟周期传输两次数据

• 可编程RL(读时延)和WL(写时延)

• 自动预充选项，每次突发访问

• 可编程驱动强度

• 自动刷新和自刷新

• 8192个周期/32ms刷新周期

• DMI引脚支持写数据屏蔽和DBIdc功能

规范

• 1.6GHz最大时钟频率

• 1.06V至1.95V电源电压范围

• 8gb和16gb内存

• 工作温度范围-25℃~ 85℃

• 存储温度范围-55℃~ 125℃