TAV1-331NM+和TAV1-541NM+晶体管采用高度可重复的D-pHEMT和E-pHEMT技术设计，封装尺寸为1.4mm x 1.2mm。晶体管具有低噪声系数，高增益和高输出IP3，这使它们成为通信系统中敏感接收器的理想选择。TAV1-331NM+和TAV1-541NM+晶体管提供非铁质封装引线框架，用于MRI和其他磁敏感应用。这些晶体管还用于5G MIMO无线电系统、Wi-Fi 6、战术无线电和正交频分复用(OFDM)应用。

特性

• tav1 - 331 nm +
  

• 有色金属材料

• 低噪音指数

• 高增益

• 高输出IP3

• 弱电流

• 需要外部偏置和匹配

• 替代Broadcom ATF-331M4

• tav1 - 541 nm +
  

• 有色金属封装引线框架

• 低噪音指数

• 高增益

• 高输出IP3

• 单电源电压

• 宽的带宽

应用程序

• 核磁共振成像

• 供应管理协会(ISM)

• 5G MIMO无线电系统

• wi - fi 6

• 战术无线电

• OFDM(仅限TAV1-331NM+)

规范

• tav1 - 331 nm +
  

• 10MHz至4000MHz频率范围

• 0.5dB至1dB的典型噪声系数范围

• 24.7dB至12.3dB典型增益

• 19.7dBm至21.5dBm的典型输出功率在1dB压缩

• 50dB至22dB典型隔离

• 6.1dB至16.5dB典型输出回波损耗

• 总功耗400mW

• -40℃~ +85℃工作温度范围

• -65℃~ +150℃存储温度范围

• tav1 - 541 nm +
  

• 45MHz ~ 6000MHz频率范围

• 0.5dB至1.7dB典型噪声系数

• 24.1dB至8.9dB典型增益

• 在1dB压缩时，20.3dBm至20.8dBm的典型输出功率

• 典型隔离度为27.8dB至21.8dB

• 9.8dB至15.3dB典型输出回波损耗

• 总功耗360mW

• -40℃~ +85℃工作温度范围

• -65℃~ +150℃存储温度范围

功能图