1、霍尔传感器原理霍尔传感器特点

霍尔传感器，是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器，主要用于力测量，具有精度高、线性度好等多种特点，现已在工业自动化技术、检测技术、信息处理等方面有着极广泛的应用。接下来小编为大家介绍霍尔传感器原理及霍尔传感器特点。

霍尔传感器原理

霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低，霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用，需要用机械的方法来改变磁感应强度。下图所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关，当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时，磁场偏离集成片，霍尔电压消失。这样，霍尔集成电路的输出电压的变化，就能表示出叶轮驱动轴的某一位置，利用这一工作原理，可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器，它要有外加电源才能工作，这一特点使它能检测转速低的运转情况。

霍尔传感器特点

1、霍尔传感器可以测量任意波形的电流和电压，如：直流、交流、脉冲波形等，甚至对瞬态峰值的测量。副边电流忠实地反应原边电流的波形。而普通互感器则是无法与其比拟的，它一般只适用于测量50Hz正弦波。

2、原边电路与副边电路之间完全电绝缘，绝缘电压一般为2KV至12KV，特殊要求可达20KV至50KV。

3、精度高：在工作温度区内精度优于1%，该精度适合于任何波形的测量。而普通互感器一般精度为3%至5%且适合50Hz正弦波形。

4、线性度好：优于0.1%

5、动态性能好：响应时间小于1μs跟踪速度di/dt高于50A/μs

6、霍尔传感器模块这种优异的动态性能为提高现代控制系统的性能提供了关键的基础。与此相比普通的互感器响应时间为10-12ms，它已不能适应工作控制系统发展的需要。

7、工作频带宽：在0-100kHz频率范围内精度为1％。在0－5kHz频率范围内精度为0.5%。

8、测量范围：霍尔传感器模块为系统产品，电流测量可达50KA，电压测量可达6400V。

9、过载能力强：当原边电流超负荷，模块达到饱和，可自动保护，即使过载电流是额定值的20倍时，模块也不会损坏。

10、模块尺寸小，重量轻，易于安装，它在系统中不会带来任何损失。

11、模块的初级与次级之间的“电容”是很弱的，在很多应用中，共模电压的各种影响通常可以忽略，当达到几千伏/μs的高压变化时，模块有自身屏蔽作用X光机维修。

12、模块的高灵敏度，使之能够区分在“高分量”上的弱信号，例如：在几百安的直流分量上区分出几毫安的交流分量。

13、可靠性高：失效率：λ=0.43_10-6/小时

14、抗外磁场干扰能力强：在距模块5-10cm处有一个两倍于工作电流（2Ip）的电流所产生的磁场干扰而引起的误差小于0.5%，这对大多数应用，抗外磁场干扰是足够的，但对很强磁场的干扰要采取适当的措施。

霍尔传感器的分类

第一类是直接将霍尔电势做适当放大处理以后提供给检测仪器或控制设备，就是所谓的直接检测式霍尔电流传感器。这种传感器耐压等级高，成本低，性能稳定，但精度受温度变化影响大，动态响应特性很不理想。我公司采用电路补偿，圆满解决以上问题。

第二类是磁场平衡式霍尔传感器，它采用了单或双霍尔元件，并工作在零磁通状态，且有以下特点：①测量范围宽，可测量各种电流，如直流、交流、脉冲电流等。②电气隔离性能好。③测量精度高，线性度好。④抗外界电磁和温度等因素的干扰能力强。⑤电流上升率大，响应速度快。⑥过载能力强。⑦体积小，重量轻，安装简单、方便。目前的产品中以磁场平衡式霍尔传感器为主。

2、霍尔传感器有什么用

测量磁场。

霍尔传感器可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用，霍尔元件是应用霍尔效应的半导体，一般用于电机中测定转子转速，如录像机的磁鼓，电脑中的散热风扇等；已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，并已得到广泛的应用。

霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器，霍尔效应是磁电效应的一种，根据霍尔效应原理，从霍尔元件的控制电流端通入电流Ic，并在霍尔元件平面的法线方向上施加磁感应强度为B的磁场，那么在垂直于电流和磁场方向，将产生一个电势VH，称其为霍尔电势，其大小正比于控制电流I。

1、霍尔传感器的原理

霍尔传感器的原理其实就是霍尔效应，霍尔器件是一种采用半导体材料制成的磁电转换器件，如果在输入端通入控制电流IC，当有一磁场B穿过该器件感磁面，则在输出端出现霍尔电势VH。

2、霍尔效应的起源

霍尔效应在1879年被物理学家霍尔发现，它定义了磁场和感应电压之间的关系，这种效应和传统的电磁感应完全不同，当电流通过一个位于磁场中的导体的时候，磁场会对导体中的电子产生一个垂直于电子运动方向上的作用力，从而在垂直于导体与磁感线的两个方向上产生电势差。

3、霍尔传感器是什么，具体有什么作用？

霍尔传感器：

是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。

作用：

霍尔传感器的零位传感器就是为了检测转子初始位置的。

工作原理：

磁场中有一个霍尔半导体片，恒定电流I从A到B通过该片。在洛仑兹力的作用下，I的电子流在通过霍尔半导体时向一侧偏移，使该片在CD方向上产生电位差，这就是所谓的霍尔电压。

霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低。霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用，需要用机械的方法来改变磁场强度。

用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关，当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时，磁场偏离集成片，霍尔电压消失。这样，霍尔集成电路的输出电压的变化，就能表示出叶轮驱动轴的某一位置，利用这一工作原理，可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器，它要有外加电源才能工作，这一特点使它能检测转速低的运转情况。

4、霍尔传感器的作用霍尔传感器的特点

霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。下面小编为大家介绍霍尔传感器的作用及霍尔传感器的特点。

霍尔传感器的作用

1、位移测量

可用来位移测量，把线性型的霍尔传感器放在两块相对放着的同极性永久磁铁中间，此时这个点可视为位移零点，磁感强度便为零。当传感器在Z轴上向△Z位移的时候这时传感器会有电压输出，此时的位移大小和电压大小是成正比例的。

2、力测量

若将压力和拉力之类的参数当做位移时，我们可以测出压力和拉力的大小，并且可按照此原理来制作力传感器。

3、角速度测量

一般非磁性材质的圆盘的周边上会黏一块磁钢，当霍尔传感器接近圆盘周边的时候，圆盘会旋转一周，并且霍尔传感器会同时输出一个脉冲，利用这个原理可测出旋转的圈数，如果在这之中插入频率计便可以测出旋转的速度。

霍尔传感器分类

1、线性霍尔传感器

线性型霍尔传感器由霍尔元件、线性放大器和射极跟随器组成，它输出模拟量。

2、开关型霍尔传感器

开关型霍尔传感器由稳压器、霍尔元件、差分放大器，斯密特触发器和输出级组成，它输出数字量。手机中使用的霍尔传感器是微功耗开关型霍尔传感器。

霍尔传感器的特点

1、霍尔传感器可以测量任意波形的电流和电压，如：直流、交流、脉冲波形等，甚至对瞬态峰值的测量。副边电流忠实地反应原边电流的波形。而普通互感器则是无法与其比拟的，它一般只适用于测量50Hz正弦波。

2、原边电路与副边电路之间完全电绝缘，绝缘电压一般为2KV至12KV，特殊要求可达20KV至50KV。

3、精度高：在工作温度区内精度优于1%，该精度适合于任何波形的测量。而普通互感器一般精度为3%至5%且适合50Hz正弦波形。

4、线性度好：优于0.1%

5、动态性能好：响应时间小于1μs跟踪速度di/dt高于50A/μs

6、霍尔传感器模块这种优异的动态性能为提高现代控制系统的性能提供了关键的基础。与此相比普通的互感器响应时间为10-12ms，它已不能适应工作控制系统发展的需要。

7、工作频带宽：在0-100kHz频率范围内精度为1％。在0－5kHz频率范围内精度为0.5%。

8、测量范围：霍尔传感器模块为系统产品，电流测量可达50KA，电压测量可达6400V。

9、过载能力强：当原边电流超负荷，模块达到饱和，可自动保护，即使过载电流是额定值的20倍时，模块也不会损坏。

10、模块尺寸小，重量轻，易于安装，它在系统中不会带来任何损失。

11、模块的初级与次级之间的“电容”是很弱的，在很多应用中，共模电压的各种影响通常可以忽略，当达到几千伏/μs的高压变化时，模块有自身屏蔽作用X光机维修。

12、模块的高灵敏度，使之能够区分在“高分量”上的弱信号，例如：在几百安的直流分量上区分出几毫安的交流分量。

13、可靠性高：失效率：λ=0.43_10-6/小时

14、抗外磁场干扰能力强：在距模块5-10cm处有一个两倍于工作电流（2Ip）的电流所产生的磁场干扰而引起的误差小于0.5%，这对大多数应用，抗外磁场干扰是足够的，但对很强磁场的干扰要采取适当的措施。