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D波段功率放大器提高功率
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NEC开发了一种基于GaAs的功率放大器，在150 GHz频段实现了它认为的全球最高输出功率10 mW。该器件采用可批量生产的砷化镓技术构建，面向移动接入和前传/回传无线设备，为5G Advanced和6G网络实现高速、高容量通信。
功率放大器设计采用市售的 0.1μm GaAs 伪晶态高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 工艺。与用于亚太赫兹频段的CMOS和SiGe技术相比，GaAs pHEMT具有高工作电压和较低的大规模生产初始成本。
这在110 GHz和150 GHz之间具有出色的高频特性，以及GaAs pHEMT放大器的最高输出功率。
NEC在本月的IEEE无线电和无线应用射频/微波功率放大器专题会议(PAWR2023)上详细介绍了放大器技术。
责任编辑：David
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