由输入信号幅值控制的开关用作输入信号电平指示器、输入信号电平分析器、电源电压指示器等。这种开关通常作为一系列比较器或双极性或场效应晶体管与输入电阻分压器组合制成。

　　下面描述的开关是使用 MOSFET Q1–Q11 2N7000 制成的，其特点是方案相当简单，能够增加开关通道的数量，并且存在不重叠的开关窗口。此功能允许您使用由幅度控制的多位置开关作为多负载开关设备，仅通过两根电线即可从多个等效控制面板进行控制。

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　　这些面板包含多个与其串联的开关和电阻器，开关的未使用引脚通过控制线连接到设备的电源总线，电阻器的未使用引脚也连接在一起并通过控制线连接到多位置开关输入。

　　多位置开关， 图1，工作原理如下。输入信号馈送到电阻分压器R1–R6。从电阻分压器R1–R6到电阻R7–R12，控制信号被发送到控制负载R13–R18的场效应晶体管的栅极。与晶体管的控制电路(源极-门)并联，连接晶体管，随着输入电压的增加提供这些电路的顺序分流。

　　图1 通过对其输入施加不同水平的电压来控制的六位开关的电气图。

　　在初始状态下，如果没有控制电压，器件的所有六个输出端都存在高电平电压，几乎等于多位置开关的电源电压(从6到60 V)。

　　对于第一个通道，输出电压几乎降至零， 图2，当对开关输入施加 2.4 至 4.1 V 的电压时。

　　图2 多位置开关的电气过程(开关输出级)的动态，当线性增加的电压施加到其输入端时。

　　对于第二个通道，开关状态切换窗口在 4.9 至 8.0 V 范围内。 对于第三个通道 – 从 9.5 V 到 12.8 V;第四个 – 从 15.2 到 21.6 V;第五个 – 从 25.3 V 到 32.7 V，第六个超过 38 V。

　　多位置开关的最大输入电压不超过40 V。在这种情况下，晶体管栅极上的最大可能电压不超过其最大允许护照值(不超过20 V)。

　　如果需要，可以通过选择输入电阻分压器R1–R6的值来调整通道的电压开关范围。