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ROHM Semiconductor RFUH25TB3SNZ半导体快速恢复二极管的介绍、特性、及应用
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原标题：ROHM Semiconductor RFUH25TB3SNZ半导体快速恢复二极管的介绍、特性、及应用
ROHM Semiconductor RFUH25TB3SNZ超级快速恢复二极管具有超低开关损耗和高电流过载能力。这种回收二极管包括硅外延平面型结构。RFUH25TB3SNZ恢复二极管提供350V重复峰值反向电压，10μA反向电流，100A非重复正向浪涌电流。该回收二极管工作在1.45V的最大正向电压和存储在-55°C至150°C的温度范围。RFUH25TB3SNZ超快恢复二极管是理想的使用在一般整流。
特性
超低开关损耗
大电流过载容量
硅外延平面型结构
350V重复峰值反向电压
10μ反向电流
100A非重复正向浪涌电流
最大正向电压1.45V
-55°C ~ 150°C的存储温度范围
应用程序
一般整流
机械制图
责任编辑：David
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