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PANJIT n通道增强模式mosfet的介绍、特性、及应用
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原标题：PANJIT n通道增强模式mosfet的介绍、特性、及应用
PANJIT n通道增强模式mosfet利用沟槽技术来改善产品特性。这些mosfet具有低漏源极电阻和80V漏源极电压。PSMxN08NS1 mosfet是100%雪崩测试，100% rg测试，无铅符合欧盟RoHS 2.0。这些mosfet非常适合用于电池管理系统(bms)，无刷直流(BLDC)电机，SMPS和电信电源系统。
特性
100%雪崩测试
100% R(g)测试
符合欧盟RoHS 2.0无铅标准
符合IEC 61249标准的绿色成型材料
80V漏源极电压
终端:
可焊性符合MIL-STD-750，方法2026
应用程序
电池管理系统(BMS)
无刷直流(BLDC)
开关模式电源(SMPS)
电信电力系统
尺寸
责任编辑：David
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