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意法半导体STL12N10F7 STripFET F7功率MOSFET的介绍、特性、及应用
来源：
hqbuy
2022-11-07
类别：基础知识
5
拍明芯城
原标题：意法半导体STL12N10F7 STripFET F7功率MOSFET的介绍、特性、及应用
意法半导体的STL12N10F7 n沟道100 V, 11.3欧姆典型,12的功率MOSFET PowerFLAT 3.3 x 3.3包利用STripFET F7技术与一个增强沟门结构,导致非常低的开态电阻,同时减少内部电容和门收费更快和更高效的切换。
特性
在市场上最低的R(DS(ON))之一
优秀FoM (merit figure)
EMI抗扰度低C(rss)/C(iss)比率
雪崩强度高
责任编辑：David
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