原标题：达尔科技ZABG4003,ZABG6003和ZABG6004可编程耗尽模式FET偏置控制器的介绍、特性、及应用

　　达尔科技的ZABG4003, ZABG6003和ZABG6004是低功耗，可编程耗尽模式FET偏置控制器，主要用于卫星低噪声块(lnb)。该器件设计为提供系统灵活性，可编程偏置多达四个(ZABG4003)或六个(ZABG6003/ZABG6004)低噪声放大器(LNA)级。偏置控制器工作在最小的电流只有1毫安，可以工作在2.1 V至5.5 V的供电电压，使他们理想的低功耗设计。小封装和减少组件数量，最大限度地减少PCB面积，同时提高整体LNB可靠性。

　　特性

　　可编程GaAs场效应晶体管LNA

　　为GaAs和HEMT FET LNAs提供至多4或6个独立偏倚阶段

　　独立用户可编程的LNAs和有源混合器漏极电流

　　工作电流小，电源范围宽，温度范围宽

　　在-40°C至+105°C范围内运行2.1 V至5.5 V的导轨

　　设计为3 V / 3.3 V / 5 V低功率LNBs

　　允许对fet被关闭为智能LNB系统

　　小而灵活的解决方案

　　最小的应用电路，同时允许系统的灵活性

　　封装在小3毫米x 3毫米的QFN封装为最小的PCB空间标准QSOP20

　　应用程序

　　Twin, quad和美国市场LNBs

　　PMR

　　微波的链接

　　一般高频通信