原标题：Qorvo QPD0009 GaN on SiC RF晶体管的介绍、特性、及应用

Qorvo QPD0009 GaN on SiC HEMT RF Transistor是一款双路离散氮化镓on SiC HEMT高电子迁移晶体管(GaN on SiC HEMT)，优化用于5G大规模MIMO应用。QPD0009具有3.4GHz到3.6GHz的频率范围和最大线性增益15dB。在每条路径中都有一个单级放大器晶体管。在+48V工作时，QPD0009可以提供7.6W的平均功率(P(AVG))。

Qorvo QPD0009氮化镓碳化硅HEMT采用紧凑的7.0mm x 6.5mm双扁平无铅(DFN)封装，外露衬垫增强热性能。

特性

• 3400MHz ~ 3600MHz工作频率范围

• +48V工作漏极电压

• 50W饱和输出功率(PSAT)

• 饱和时47dBm输出功率

• 15分贝线性增益

• 排水效率为54%

• 32.5mA静态电流(I(DQ))

• 7.0mm x 6.5mm DFN6封装

• 无卤素，无铅，符合RoHS

应用程序

• 5 g大规模分布式天线

• w - cdma / LTE

• 宏基站驱动程序

• 小细胞

• 有源天线

• 微蜂窝基站

规格尺寸