原标题：反向MOSFET帮助555振荡器忽略电源和温度变化

反向MOSFET在帮助555振荡器忽略电源和温度变化方面，主要通过特定的电路设计和连接方式来实现。以下是对此过程的详细解释：

1. 原理概述：

• 利用反极性P沟道MOSFET（如Q1）来引导C1（通常是一个电容器）的充电电流，而不产生明显的压降。这样的设计能够产生与温度和电源电压V+无关的时序设计方程。

2. 时序设计方程：

• T+ = R1C1ln((2/3V+)/(1/3V+)) = R1C1ln(2)

• T- = R1C1ln((2/3V+)/(1/3V+)) = R1C1ln(2)

• Fosc（振荡频率） = 1/(ln(2)/((R1+R2)C1)) = 1.44/(P1C1)（其中P1为某种与R1和R2相关的参数）

• 在不考虑温度和V+的影响下，得到新的时序设计方程如下：

1. 电路连接：

• 将MOSFET Q1“反向”连接，即将其漏极引脚而非源极引脚连接到正电压源。这种连接方式可以避免在555电路输出引脚将漏极引脚驱动为低电平，而C1将R2连接的引脚保持为高电平时，对FET体二极管形成正向偏置。

2. 功能实现：

• 通过上述设计，在不影响555电路固有精度的情况下，实现了可变占空比/恒定频率的功能。这意味着，无论电源电压V+如何变化，或者环境温度如何波动，555振荡器都能够保持稳定的频率输出。

3. 总结：

• 反向MOSFET在555振荡器中的应用，通过其特定的连接方式和电路设计，有效地消除了电源和温度变化对振荡器性能的影响，提高了其稳定性和可靠性。这种设计在需要高精度和稳定输出的电子电路中具有广泛的应用前景。