原标题：Vishay / Siliconix SiHH080N60E E系列功率mosfet的介绍、特性、及应用

Vishay Siliconix的SiHH080N60E是E系列功率MOSFET中的一款产品，它采用先进的封装技术和材料设计，为电信、工业及计算应用提供高效、高功率密度的解决方案。

特性

1. 封装与尺寸：SiHH080N60E采用顶部冷却的PowerPAK 8x8LR封装，其尺寸为10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm。与D2PAK封装相比，其占位面积减小了50.8%，高度降低了66%，极大地节省了空间并提高了功率密度。

2. 热性能：由于采用顶部冷却设计，SiHH080N60E具有出色的热性能，结壳热阻极低，仅为+0.25°C/W。这允许在相同的导通电阻水平下，比D2PAK封装提供高46%的电流，从而实现更高的功率密度。

3. 电气性能：

• 导通电阻：在10V时，典型导通电阻为0.074欧姆，与上一代器件相比降低了27%。

• 栅极电荷：超低栅极电荷，低至42 nC，与上一代器件相比降低了60%。

• FOM（导通电阻与栅极电荷乘积）：达到业界最低的3.1 Ω*nC，有助于降低导通和开关损耗，提高能源效率。

4. 开关性能：MOSFET的有效输出电容C(o(er))和C(o(tr))分别为79 pF和499 pF，这些值有助于提高功率因数校正（PFC）、半桥和双开关正向设计等硬开关拓扑中的开关性能。

5. 其他特性：封装还提供开尔文（Kelvin）连接以提高开关效率；符合RoHS标准，无卤素；耐受雪崩模式下过压瞬变，并保证极限值100%通过UIS测试。

应用

SiHH080N60E E系列功率MOSFET的典型应用包括：

• 服务器、边缘计算、超级计算机等高性能计算系统。

• 数据存储、UPS（不间断电源）系统。

• 高强度放电（HID）灯和荧光镇流器。

• 通信SMPS（开关电源）、太阳能逆变器。

• 焊接设备、感应加热、电机驱动。

• 电池充电器等电力电子系统。

总之，Vishay Siliconix的SiHH080N60E E系列功率MOSFET以其紧凑的封装、卓越的热性能、优异的电气性能和广泛的应用范围，成为现代电力电子系统中的理想选择。