东芝面向继电器驱动器推出小型双MOSFET SSM6N357R
电子元件及存储装置株式会社今日宣布推出一款新的“SSM6N357R”,该产品在漏极和栅极端子之间设计有内置二极管。该器件适用于驱动机械继电器等感性负载。批量发货即日启动。
SSM6N357R集成有下拉电阻、串联电阻和稳压二极管,有助于减少零部件数量并节省电路板空间。此外,由于该产品是二合一的封装产品,与采用两个SSM3K357R (2.4 x 2.9 x 0.8 mm)单个封装产品的替代方案相比,其安装面积减小42%。
SSM6N357R采用行业标准的TSOP6F级封装,具备3.0V的低工作电压并且通过了AEC-Q101认证,因此适合于汽车和许多其他应用。
应用场合
汽车应用的继电器和螺线管控制
工业应用的继电器和螺线管控制
办公设备离合器控制
特点
节省电路板空间且元器件数量减少(实现了下拉电阻、串联电阻和稳压二极管的集成。)
3.0V的低工作电压
二合一封装
通过AEC-Q101认证
主要规格
等效电路
SSM6N357R
产品概要
Feature: Relay Drivers
Polarity: N-ch×2
Generation: π-MOSⅤ
Internal Connection: Independent
RoHS Compatible Product(s) (#): Available
封装类型
Absolute Maximum Ratings
Characteristics | Symbol | Rating | Unit |
---|---|---|---|
Drain current (Q1) | ID | 0.65 | A |
Drain-Source voltage (Q1) | VDSS | 60 | V |
Gate-Source voltage (Q1) | VGSS | ±12 | V |
Drain current (Q2) | ID | 0.65 | A |
Drain-Source voltage (Q2) | VDSS | 60 | V |
Gate-Source voltage (Q2) | VGSS | ±12 | V |
Power Dissipation | PD | 1 | W |
产品特性
项目 | 符号 | 条件 | 数值 | 单位 |
---|---|---|---|---|
Input capacitance (Q1) (Typ.) | Ciss | - | 43 | pF |
Total gate charge (Q1) (Typ.) | Qg | - | 1.5 | nC |
Drain-Source on-resistance (Q1) (Max) | RDS(ON) | VGS=3V | 2.4 | Ω |
Drain-Source on-resistance (Q1) (Max) | RDS(ON) | VGS=5V | 1.8 | Ω |
Drain-Source on-resistance (Q1) (Typ.) | RDS(ON) | VGS=3V | 1.2 | Ω |
Drain-Source on-resistance (Q1) (Typ.) | RDS(ON) | VGS=5V | 0.8 | Ω |
Gate threshold voltage (Q1) (Max) | Vth | - | 2.0 | V |
Gate threshold voltage (Q1) (Min) | Vth | - | 1.3 | V |
Input capacitance (Q2) (Typ.) | Ciss | - | 43 | pF |
Total gate charge (Q2) (Typ.) | Qg | - | 1.5 | nC |
Drain-Source on-resistance (Q2) (Max) | RDS(ON) | VGS=3V | 2.4 | Ω |
Drain-Source on-resistance (Q2) (Max) | RDS(ON) | VGS=5V | 1.8 | Ω |
Drain-Source on-resistance (Q2) (Typ.) | RDS(ON) | VGS=3V | 1.2 | Ω |
Drain-Source on-resistance (Q2) (Typ.) | RDS(ON) | VGS=5V | 0.8 | Ω |
Gate threshold voltage (Q2) (Max) | Vth | - | 2.0 | V |
Gate threshold voltage (Q2) (Min) | Vth | - | 1.3 | V |
责任编辑:Davia
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