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Micro Commercial Components场阻沟槽IGBT系列的介绍、特性、及应用
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原标题：Micro Commercial Components场阻沟槽IGBT系列的介绍、特性、及应用
随着其领域场阻沟槽技术的引入，Micro Commercial Components在功率半导体市场继续其产品扩展。第一代IGBT器件允许40a的最大电压为650 V和1200 V。其他电压和电流水平正在研制中。磁场阻挡沟槽技术提供了低导电(低V(ce(sat))和低开关损耗(低E(OFF))，并由于正温度系数而允许并联。这些igbt的典型应用是半桥或全桥拓扑，适用于电机或可再生能源的逆变器、UPS、焊接和感应加热。
特性
低电压(ce(sat))用于快速切换
温度系数为正的V(ce(sat))
坚固耐用，热稳定性好
非常紧的参数分布
无卤
环氧树脂符合UL 94v -0可燃性等级
无铅完成/通过无铅认证
应用程序
逆变器驱动
太阳能逆变器
联合包裹
焊接
感应加热
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