原标题：STMicroelectronics 通过 40V STripFET F8 MOSFET 宣传节能和低噪声

STMicroelectronics通过其40V STripFET F8 MOSFET产品确实宣传了节能和低噪声的显著特性。以下是关于这一产品的详细特点和优势：

1. 降低能耗：

• 意法半导体的40V MOSFET晶体管STL320N4LF8和STL325N4LF8AG采用了最新一代的STPOWER STripFET F8氧化物填充沟槽技术，这种技术显著降低了导通电阻和开关损耗。

• 在栅源电压(VGS)为10V时，STL320N4LF8和STL325N4LF8AG的最大导通电阻(Rds(on))分别为0.8毫欧和0.75毫欧，这一低电阻特性有助于减少功率转换、电机控制和配电电路中的能耗。

• 新MOSFET的裸片单位面积(Rds(on))电阻非常低，因此可以采用节省空间且热效率高的PowerFLAT 5x6封装，进一步提高了能效。

1. 降低噪声：

• 除了降低能耗外，STripFET F8技术还优化了体寄生二极管特性，降低了功率转换、电机控制和配电电路中的噪声。

• 适当的输出电容和相关的等效串联电阻可防止漏源电压出现尖峰，并确保在管子关断时突降振荡时间更短，这有助于减少电磁干扰(EMI)。

• STL320N4LF8和STL325N4LF8AG发出的电磁干扰(EMI)低于市场上其他类似器件，这得益于其体二极管的软恢复特性和体寄生二极管的反向恢复电荷的减小。

2. 技术优势：

• 意法半导体先进的STripFET F8技术的开关速度十分出色，低芯片电容可以最大限度地降低栅漏电荷等动态参数，提高系统能效。

• 设计人员可以在600kHz至1MHz范围内选择开关频率，允许使用尺寸更小的电容和磁性元件，节省电路尺寸和物料清单成本，提高终端应用的功率密度。

3. 应用广泛：

• STL320N4LF8和STL325N4LF8AG分别是第一款符合工业标准和AEC-Q101汽车标准的STPOWER STripFET F8 MOSFET器件，适用于电池供电产品和计算、电信、照明和通用功率转换等多种应用。

综上所述，STMicroelectronics的40V STripFET F8 MOSFET通过其卓越的技术特性和设计，有效地实现了节能和低噪声的目标，为各种应用提供了高效的解决方案。