原标题：晶体管_NTMFS4C028NT1G_NTMFS4C09NT1G_规格

STM32F407VGT6TR：微控制器IC 32位单核 1

NTMFS4C028NT1G和NTMFS4C09NT1G是两款分立半导体产品，具体为晶体管中的FET（场效应晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）单个元件。以下是这两款产品的详细规格和特性：

NTMFS4C028NT1G

• 类型：表面贴装型N通道FET

• 技术：MOSFET（金属氧化物）

• 漏源电压（Vdss）：30 V

• 25°C时电流 - 连续漏极（Id）：16.4A(Ta), 52A(Tc)

• 驱动电压：最大Rds On, 最小Rds On为4.5V, 10V

• 导通电阻（最大值）：4.73毫欧 @ 30A, 10V

• Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250µA

• 栅极电荷（Qg）（最大值）：22.2 nC @ 10 V

• Vgs（最大值）：±20V

• 输入电容（Ciss）（最大值）：1252 pF @ 15 V

• 功率耗散（最大值）：2.51W(Ta), 25.5W(Tc)

• 工作温度：-55°C ~ 150°C(TJ)

• 封装：5-DFN(5x6)(8-SOFL)

NTMFS4C09NT1G

• 类型：表面贴装型N通道FET

• 技术：MOSFET（金属氧化物）

• 漏源电压（Vdss）：30 V

• 25°C时电流 - 连续漏极（Id）：9A(Ta)

• 驱动电压：最大Rds On, 最小Rds On为4.5V, 10V

• 导通电阻（最大值）：5.8毫欧 @ 30A, 10V

• Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250µA

• 栅极电荷（Qg）（最大值）：10.9 nC @ 4.5 V

• Vgs（最大值）：±20V

• 输入电容（Ciss）（最大值）：1252 pF @ 15 V

• 功率耗散（最大值）：760mW(Ta), 25.5W(Tc)

• 工作温度：-55°C ~ 150°C(TJ)

• 封装：5-DFN(5x6)(8-SOFL)

这两款产品均采用了表面贴装型封装，适用于需要高性能FET和MOSFET的电路设计中。NTMFS4C028NT1G提供了更高的电流处理能力，而NTMFS4C09NT1G则具有较低的电流处理能力但可能具有其他特定的应用优势。

68MHz 1MB（1M x 8） 闪存 100-LQFP（14x14）