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IXYS xt 200V X4超结功率mosfet的介绍、特性、及应用

来源: hqbuy
2022-06-23
类别:基础知识
eye 20
文章创建人 拍明芯城

原标题:IXYS xt 200V X4超结功率mosfet的介绍、特性、及应用

IXYS xt 200V X4超结功率MOSFET是一款N沟道增强模式器件,具有以下特点:


  • 低导通电阻:R(DS(on))为10.6毫欧或13毫欧,能够降低导通损耗,提高效率。

  • 高雪崩额定:具备雪崩级高功率密度,能够承受高能量的雪崩击穿,保证器件的可靠性。

  • 低封装电感:有助于减少开关过程中的电压尖峰和振铃,提高系统的稳定性。

  • 高功率密度:可以在较小的封装尺寸内实现高功率输出,节省电路板空间。

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  • 容易安装:采用TO-263或TO-220标准封装风格,便于安装和焊接。

  • 宽温度范围:工作温度范围为-55°C至+175°C,能够适应各种恶劣的工作环境。


该MOSFET适用于开关模式和谐振模式电源、直流-直流转换器、PFC电路、交流和直流电机驱动、机器人技术和伺服控制等领域。


责任编辑:David

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