0 卖盘信息
BOM询价
您现在的位置: 首页 > 电子资讯 >设计应用 > 长光辰芯全画幅8K CMOS图像传感器规格详解

长光辰芯全画幅8K CMOS图像传感器规格详解

来源: MEMS
2022-05-18
类别:设计应用
eye 37
文章创建人 拍明芯城

原标题:长光辰芯全画幅8K CMOS图像传感器规格详解

  8K超高清芯片,为专业摄像而生

  GCINE4349是长光辰芯全新GCINE系列的首款旗舰产品,采用堆栈背照式图像传感器技术,具有高灵敏度和优秀的角度响应,具有110dB(18+档)超高动态范围,8K模式下帧频高达120 fps。

image.png

图1 GCINE4349实物图

  

image.png

 

  1、8K 超高清、全画幅

  GCINE4349采用4.3um像素设计,全分辨率为4900万像素(8192 x 6000),光学尺寸为全画幅(35.2 x 25.8mm),支持 8K和4K分辨率输出,同时该芯片支持横向全宽(8192像素)8K DCI、宽银幕电影(2.4:1,8K)等多种成像格式。原生8K 分辨率(3:2)可以使得通过相机上的过采样功能实现6K或4K的不同分辨率。

image.png

图2 GCINE4349图像分辨率格式

  2、8K、120 fps,速度更快

  为满足视频成像对高帧率的需求,GCINE4349采用64对LVDS同时进行传输数据,其单通道数据率为1.2Gbps,使其在8K模式下帧频高达120fps,4K模式下帧频高达240fps。

  3、高动态、大满阱

  GCINE4349采用BSI 卷帘快门像素设计,其单个像素满阱电荷可以达到40ke-,其单幅动态范围可以到82dB,同时为了满足单反相机等静态拍摄场景的需求,该芯片还可对多达4个后续子帧进行片上求和存储运算,将满阱提升到160k e-,进一步拓宽其动态范围以及提升图像的信噪比。

  4、堆栈背照式技术加持

  图像传感器的生产工艺分为普通前照式、背照式以及堆栈式,堆栈式不同于前照式/背照式的单层晶圆结构,其采用双层晶圆进行上下堆叠,两层晶圆之间通过Cu-Cu互联的技术,将上层像素晶圆的信号传输至底层电路进行最终读出。GCINE4349是长光辰芯首次在大靶面芯片上使用堆栈式技术,堆栈式技术的加持,使其可以获得更好的量子效率和角度响应,同时实现了超高分辨率、超高速读出。

image.png

图3 GCINE4349双层堆栈背照式结构

  5、双重HDR模式

  根据专业影像中的不同使用要求,GCINE4349同时支持两种高动态模式。第一种为多斜率HDR,其原理为在图像传感器积分过程中的特定时间点设置几个固定复位电压,保证芯片在特定时间段内线性响应,通过多段设置,再对数据进行线性恢复,进而获得高动态图像,在该模式下,GCINE4349可实现高达110dB(18+档)的超高动态范围。第二种为双增益HDR模式,即图像传感器在同一次曝光下,同时输出两幅不同增益的图像,再进行两幅图像的合成进而获得一帧高动态图像,在该模式下,可实现高达87dB(14+档)的动态范围。用户可根据不同的使用场景,选择适合的工作模式。


责任编辑:

【免责声明】

1、本文内容、数据、图表等来源于网络引用或其他公开资料,版权归属原作者、原发表出处。若版权所有方对本文的引用持有异议,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方将及时处理。

2、本文的引用仅供读者交流学习使用,不涉及商业目的。

3、本文内容仅代表作者观点,拍明芯城不对内容的准确性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保证。读者阅读本文后做出的决定或行为,是基于自主意愿和独立判断做出的,请读者明确相关结果。

4、如需转载本方拥有版权的文章,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“转载原因”。未经允许私自转载拍明芯城将保留追究其法律责任的权利。

拍明芯城拥有对此声明的最终解释权。

相关资讯