原标题：3nm后的晶体管选择~

在3nm及以下的工艺节点，晶体管的选择和技术发展正面临着前所未有的挑战。以下是关于3nm后晶体管选择的一些关键点和趋势：

1. 从FinFET到纳米片（Nanosheet）的过渡：

• 多家晶圆厂如三星、Intel、台积电和IBM等正在从长期采用的鳍式场效晶体管（FinFET）制程逐渐转移，转向纳米片（Nanosheet）的晶体管架构制造。

• 这一转变是为了解决随着晶体管尺寸缩小到3nm及以下时，FinFET在性能、功耗和泄漏控制方面的局限性。

2. 纳米片（Nanosheet）的优势：

• 纳米片架构提供了更宽的有效通道宽度，从而能在相同尺寸下提供比FinFET更高的驱动电流。

• 它还提供了调整通道宽度的弹性，使设计人员在保持高性能的同时，能够进一步降低元件尺寸和电容。

• 纳米片采用环绕闸极（Gate-All-Around, GAA）结构，使导电通道完全被包围在高介电系数材料或金属闸极之中，提供了更佳的通道控制能力。

3. 叉型片（Forksheet）和互补式场效晶体管（CFET）：

• 叉型片（Forksheet）是纳米片架构的一种改进形式，通过引入介电墙来大幅紧缩n型与p型元件之间的距离，从而增加通道的有效宽度和提升驱动电流。

• 互补式场效晶体管（CFET）是另一种新型晶体管架构，结合了n型和p型晶体管在同一沟道内，以提高能效和性能。

1. 材料创新：

• 为了提高晶体管的性能，特别是pFET的空穴迁移率，供应商正在开发有改进的pFET第二代纳米片FET，使用高迁移率材料如SiGe和III-V族材料。

• 应变工程也被用于在沟道中使用SiGe合金应力以提高载流子迁移率。

2. 技术挑战：

• 转向纳米片和其他新型晶体管架构带来了许多技术挑战，如内部隔离层控制、精确蚀刻和内部间隔物的形成等。

• 这些挑战需要精确控制工艺参数和材料特性，以确保晶体管的性能和可靠性。

3. 市场应用：

• 随着这些新型晶体管技术的成熟和成本降低，它们将被广泛应用于各种高性能电子设备和产品中，如智能手机、服务器、数据中心和自动驾驶汽车等。

综上所述，3nm后的晶体管选择正朝着纳米片和其他新型架构发展，这些技术将带来更高的性能和能效，但同时也面临着许多技术挑战和成本问题。随着半导体行业的不断创新和进步，我们有望在未来看到更多高性能、低功耗的晶体管产品的出现。