原标题：东芝80 V UMOS-X功率mosfet的介绍、特性、及应用

东芝电子元件及存储装置株式会社推出的80 V UMOS-X功率MOSFET，是其产品线中的一款重要产品。这款产品采用了东芝最新一代的U-MOS X-H工艺，旨在为大电流、高散热的车载应用提供高性能的解决方案。

特性

1. 低导通电阻：这款80 V UMOS-X功率MOSFET具有极低的导通电阻，例如某型号的RDS(ON)值为0.83mΩ（最大值）@VGS=10V，这有助于降低设备在工作时的功耗。

2. 高散热设计：通过采用L-TOGL™封装和铜夹片结构，以及与外部引脚通过厚铜框连接的方式，有效地降低了封装电阻和结壳热阻，提高了散热性能。

3. 高可靠性：产品通过AEC-Q101认证，确保其在高应力、高可靠性要求的汽车应用中的稳定性和可靠性。

4. 高额定通道温度：具有较高的通道温度额定值，例如Tch=175℃，适用于高温工作环境。

应用

1. 车载应用：这款80 V UMOS-X功率MOSFET特别适用于轻型电动汽车和ISG的逆变器、电池管理系统和接线盒的负载开关以及半导体继电器等车载应用。

2. 工业设备：除了车载应用外，它还可以用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源，以及电机控制设备（如电机驱动等）。

总结

东芝80 V UMOS-X功率MOSFET以其低导通电阻、高散热设计、高可靠性以及高额定通道温度等特性，在车载和工业设备等领域得到了广泛应用。东芝作为半导体和存储解决方案的领先供应商，通过不断的技术创新和产品优化，为全球客户提供高性能、高质量的半导体产品。