东芝TLP570x GaAℓ作为光耦合器的介绍、特性、及应用
原标题:东芝TLP570x GaAℓ作为光耦合器的介绍、特性、及应用
东芝TLP570x GaAℓ作为光耦合器集成铝砷化镓红外发光二极管(LED)光耦合到集成的高增益,高速光电探测器在一个紧凑的6针SO6L封装。TLP570x系列在物理上比8针DIP封装的光耦合器更小更薄,符合增强绝缘的国际安全标准。东芝TLP570x GaAlAs光耦合器为需要安全标准认证的应用提供更小的占地面积解决方案。内部噪声屏蔽可保证20kV/μs的共模瞬态抗扰度。
东芝TLP570x GaAlAs 光耦合器可提供标准SO6L和宽引线SO6L (LF4)封装变体。这些器件非常适合用作中小型IGBT或功率MOSFET栅极驱动器。
特性
缓冲逻辑类型(图腾柱输出)
2.5A至5.0A峰值电流输出范围
2.0A至3.0A电源电流范围
200ns到500ns传播延迟范围
5.0最大阈值输入电流
±20kV/µs至±50kV/µs共模瞬态免疫
工作温度范围
-40°C to +110°C (TLP5701, TLP5702)
-40°C至+125°C (TLP5702H, TLP5705H)
5000年vrms隔离电压
6针SO6L封装标准和宽铅(LF4)选项
安全标准
ul批准:UL1577,文件编号E67349
cull -approved: CSA组件验收服务编号5a文件编号E67349
vde批准:EN60747-5-5, EN60065, EN60950-1, EN 62368-1(选项D4)
CQC-approved: GB4943.1 GB8898
应用程序
光伏(PV)电力调节系统
工业逆变器
电磁炉和家用电器
空调逆变器
MOSFET栅极驱动程序
IGBT门司机
责任编辑:David
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